背景
2006年，隨著手機、MP3播放器、隨身碟的需求量逐漸增大，以及開始步入消費市場的SSD，市場對NAND快閃記憶體的需求也增加不少，而當時各個快閃記憶體製造廠所用的設計標準各有不同，這樣導致快閃記憶體控制器廠商和下游產品製造廠在製作產品時碰到各種麻煩，業界迫切需求一個統一的標準，這就是ONFI的誕生背景。
標準
ONFI1.0制定於2006年12月，內容主要是制定快閃記憶體的物理接口、封裝、工作機制、控制指令、暫存器等規範，增加對ECC的支持，傳輸頻寬從傳統的Legacy接口的40MB/s提升到50MB/s，性能提升幅度不大，不過其主要目的還是統一快閃記憶體接口規範，減輕產品廠商的開發壓力。
ONFI2.0標準誕生於2008年2月，2.0標準將頻寬速度提高到133MB/s以滿足高速設備對快閃記憶體性能的需求，在該版本中，主要是通過兩項技術來提高傳輸速度。第一項就是在DRAM領域裡常用的DDR(DoubleDataRate，雙倍數據率)信號技術。第二項是使用源同步時鐘來精確控制鎖存信號，使其能夠達到更高的工作頻率。
ONFI2.1標準於2009年1月發布，頻寬提升到166MB/s和200MB/s（工作模式不同速度不同），8KBpage數據傳輸延時降低，改良電源管理降低寫入操作能耗，加強ECC糾錯能力，新增“SmallDataMove”與“ChangeRowAddress”指令。
ONFI2.2發表於2009年10月，增加了LUN（邏輯單元號）重置、增強頁編程暫存器的清除和新的ICC測量和規範。LUN重置和頁編程暫存器清除提升了擁有多個NAND快閃記憶體晶片設備的處理效率，ICC規範則簡化了下游廠家的測試程式。
ONFI2.3在2010年8月的快閃記憶體峰會上發布，在2.2標準的基礎上加入了EZ-NAND協定。EZ-NAND是ErrorZeroNAND的簡寫，這一協定將NAND快閃記憶體的糾錯碼管理由主控晶片中轉移到快閃記憶體自身，以減輕主控晶片負擔。
2011年的3月ONFI3.0規範發布，通過使用非易失性DDR2接口(NV-DDR2)，NAND快閃記憶體接口的傳輸速度得以翻番達到400MB/s(或者說400MT/s)，同時繼續保持向下兼容。
