irf3205

irf3205

IR的HEXFET功率場效應管irf3205採用先進的工藝技術製造,具有極低的導通阻抗。irf3205這種特性,加上快速的轉換速率,和以堅固耐用著稱的HEXFET設計,使得irf3205成為極其高效可靠、套用範圍超廣的器件。

基本信息:

基本參數:

電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V

電壓, Vds 典型值:55V

電流, Id 連續:110A

Qg Typ: 97.3 nC

FET極性: N型溝道

特性:

先進的工藝技術  貼片安裝  低端通孔安裝  超低導通阻抗  動態dv/dt率  175℃工作溫度  快速轉換速率  無鉛環保

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