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半導體分布反饋雷射器
結的GaAs－GaAlAs注入式半導體雷射器實現了室溫連續工作。與此同時...GaAs－GaAlAs分布反饋雷射器已實現室溫連續工作，閾值3.4×103安/厘米2...GaAs-GaAlAs和InP-InGaAsP分布反饋雷射器,激射波長隨溫度...
簡介 原理 材料和泵浦方式 結構 性能 -
分布反饋
簡介1970年採用雙異質結的GaAs－GaAlAs注入式半導體雷射器...)結構,把光柵與有源區分開。性能GaAs－GaAlAs分布反饋雷射器已實現...1埃。激射波長隨溫度和電流的變化比較小,例如GaAs-GaAlAs和...
產品介紹 原理 結構 性能 相關連結 -
光晶體三極體
放大倍數β。對於短波長（短於0.9微米），常用GaAs-GaAlAs系統...通常增益很高，但速度不太快，對於GaAs-GaAlAs，β可大於1000...，減小基區等效壽命而縮短回響時間。GaAs-GaAlAs光電晶體回響時間為...
光晶體三極體 正文 配圖 相關連線 -
半導體雷射器
儀器簡介 圖1 雷射器 半導體雷射器是以一定的半導體材料做工作物質而產生雷射的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物...
儀器簡介 雷射器 工作原理 封裝技術 決定因素 -
光電晶體
GaAs-GaAlAs，放大係數可大於1000，回響時間大於納秒，常用於光...GaAs-GaAlAs系統，對於長波長（長於1.1微米），則採用...通常增益很高，但速度不太快，對於GaAs-GaAlAs， β可大於...
名詞解釋 主要作用 最小的光電晶體 -
半導體雷射模組
;.室溫連續工作的雙異質結GaAs-GaAlAs(砷化稼一稼鋁砷)雷射器.雙...
套用 發展 常見典型波長 雷射設備套用 -
整數量子霍爾效應
摻雜的GaAs-GaAlAs等異質結構中也能觀測到量子化霍爾效應。 ...
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電晶體
定義 嚴格意義上講，電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、可控矽等。晶體...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
電晶體[半導體器件]
定義電晶體嚴格意義上講，電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、可控矽等。...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
電晶體[電子元件]
定義電晶體嚴格意義上講，電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、可控矽等。...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑
