基本參數：
封裝: TO-3P
基本參數：電晶體類型:IGBT
集電極直流電流:50A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:312W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度範圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-3P
SVHC(高度關注物質):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升時間:50ns
功率, Pd:312W
功耗:312W
封裝類型:TO-3P
電晶體極性:NPN
最大連續電流, Ic:50A
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:25A
電流, Icm 脈衝:75A
表面安裝器件:通孔安裝
SVHC(高度關注物質)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
價格分析：
近期所報參考價為5.60元/pcs----9.00元/pcs。量少零售參考價格為9.00元/pcs，1000pcs以上參考價格為5.60元/pcs。
