主要參數
FDS4435，採用SOIC封裝方式。
電晶體極性:P溝道
漏極電流, Id 最大值:-8.8A
電壓, Vds 最大:30V
開態電阻, Rds(on):0.02ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:-25V
功耗:2.5W
其他參數
工作溫度範圍:-55oC to +175oC
封裝類型:SOIC
針腳數:8
SMD標號:FDS4435
功率, Pd:2.5W
封裝類型:SOIC
電晶體數:1
電晶體類型:MOSFET
滿功率溫度:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:-30V
電流, Id 連續:8.8A
電流, Idm 脈衝:50A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-1.7V
閾值電壓, Vgs th 最高:-3V
