FBD即Fully-buffer DIMM( 全快取模組技術),它是一種串列傳輸技術,可以提升記憶體的容量和傳輸頻寬.是Intel在DDR2、DDR3的基礎上發展出來的一種新型記憶體模組與互聯架構,既可以搭配現在的DDR2記憶體晶片,也可以搭配未來的DDR3記憶體晶片。FB-DIMM可以極大地提升系統記憶體頻寬並且極大地增加記憶體最大容量。 FB-DIMM技術是Intel為了解決記憶體性能對系統整體性能的制約而發展出來的,在現有技術基礎上實現了跨越式的性能提升,同時成本也相對低廉。在整個計算機系統中,記憶體可謂是決定整機性能的關鍵因素,光有快的CPU,沒有好的記憶體系統與之配合,CPU性能再優秀也無從發揮。這種情況是由計算機原理所決定的,CPU在運算時所需要的數據都是從記憶體中獲取,如果記憶體系統無法及時給CPU供應數據,CPU不得不長時間處在一種等待狀態,硬體資源閒置,性能自然無從發揮。對於普通的個人電腦來說,由於是單處理器系統,目前的記憶體頻寬已經能滿足其性能需求;而對於多路的伺服器來說,由於是多處理器系統,其對記憶體頻寬和記憶體容量是極度渴求的,傳統的記憶體技術已經無法滿足其需求了。這是因為目前的普通DIMM採用的是一種“短線連線”( stub-bus)的拓撲結構,這種結構中,每個晶片與記憶體控制器的數據匯流排都有一個短小的線路相連,這樣會造成電阻抗的不繼續性,從而影響信號的穩定與完整,頻率越高或晶片數據越多,影響也就越大。雖然Rambus公司所推出的的 XDR記憶體等新型記憶體技術具有極高的性能,但是卻存在著成本太高的問題,從而使其得不到普及。而FB-DIMM技術的出現就較好的解決了這個問題,既能提供更大的記憶體容量和較理想的記憶體頻寬,也能保持相對低廉的成本。FB-DIMM與XDR相比較,雖然性能不及全新架構的XDR,但成本卻比XDR要低廉得多。 與現有的普通DDR2記憶體相比,FB-DIMM技術具有極大的優勢:在記憶體頻率相同的情況下目前能提供四倍於普通記憶體的頻寬,並且能支持的最大記憶體容量也達到了普通記憶體的24倍,系統最大能支持192GB記憶體。FB-DIMM最大的特點就是採用已有的DDR2記憶體晶片(以後還將採用DDR3記憶體晶片),但它藉助記憶體PCB上的一個緩衝晶片AMB(Advanced Memory Buffer,高級記憶體緩衝)將並行數據轉換為串列數據流,並經由類似PCI Express的點對點高速串列匯流排將數據傳輸給處理器。 與普通的DIMM模組技術相比,FB-DIMM與記憶體控制器之間的數據與命令傳輸不再是傳統設計的並行線路,而採用了類似於PCI-Express的串列接口多路並聯的設計,以串列的方式進行數據傳輸。在這種新型架構中,每個DIMM上的緩衝區是互相串聯的,之間是點對點的連線方式,數據會在經過第一個緩衝區後傳向下一個緩衝區,這樣,第一個緩衝區和記憶體控制器之間的連線阻抗就能始終保持穩定,從而有助於容量與頻率的提升。 |
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FBD記憶體
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簡介 內容 特點 -
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基本資料 -
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FBD金融大數據
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簡介 基本信息 創始人 主營業務 發展歷史 -
三星 4GB DDR2 667 FBD ECC
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三星 4GB DDR2 800 FBD ECC
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三星 8GB DDR2 667 FBD ECC
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