74HC164

74HCT164是高速矽門 CMOS 器件,與低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引腳兼容。74HC164、74HCT164是8位邊沿觸髮式移位暫存器,串列輸入數據,然後並行輸出。數據通過兩個輸入端(DSA 或 DSB)之一串列輸入;任一輸入端可以用作高電平使能端,控制另一輸入端的數據輸入。兩個輸入端或者連線在一起,或者把不用的輸入端接高電平,一定不要懸空。

設備概述

8 位串入、並出移位暫存器

74HC16474HC164

74HC164、74HCT164 是高速矽門 CMOS 器件,與低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引腳兼容。74HC164、74HCT164 是 8 位邊沿觸髮式移位暫存器,串列輸入數據,然後並行輸出。數據通過兩個輸入端(DSA 或 DSB)之一串列輸入;任一輸入端可以用作高電平使能端,控制另一輸入端的數據輸入。兩個輸入端或者連線在一起,或者把不用的輸入端接高電平,一定不要懸空。

時鐘 (CP) 每次由低變高時,數據右移一位,輸入到 Q0, Q0 是兩個數據輸入端(DSA 和 DSB)的邏輯與,它將上升時鐘沿之前保持一個建立時間的長度。

主復位 (MR) 輸入端上的一個低電平將使其它所有輸入端都無效,同時非同步地清除暫存器,強制所有的輸出為低電平。

設備特性

門控串列數據輸入 異步中央復位 符合 JEDEC 標準 no. 7A 靜電放電 (ESD) 保護:

·HBM EIA/JESD22-A114-B 超過 2000 V

·MM EIA/JESD22-A115-A 超過 200 V 。 多種封裝形式 額定從 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C 。

溫度區別

74HC164 :下限溫度 -40度 上限溫度85度

54HC164: 下限溫度 -55度 上限溫度125度

極限參數

直流電壓 VDD:l-0.5V——7V

輸入鉗位電流 :-20MA—20MA

輸出鉗位電流 :-20MA—20MA

連續輸出電流:-25MA—25MA

通過VCC 或GND的電流:-50MA—50MA

74HC16474HC164

引腳焊接溫度:+265度

引腳說明

1 A B :與門數據輸入端

2 QA—QH:並行數據輸出端

3 CLR: 異步清零輸入端

4 CLK:時鐘輸入端

74HC16474HC164

圖7-2 74HC164的引腳

5 內部參數

操作說明

真值表

16401640
CLR CLK A B QA QB QC QD QE QF QG QH
L -- -- -- L L L L L L L L
H L -- -- QA0 QB0 QC0 QD0 QE0 QF0 QG0 QH0
H 上升 H H H QAN —————————————— QH
H 上 升 L -- L QAN—————————————— QH

註解:

1 QA0 QB0 QC0 QD0 QE0 QF0 QG0 QH0穩定狀態輸入條件被確定前的電平

2 QAN QBN QCN QDN QEn QFN QGN QHN 最近CLK上升前QA ——QH的電平

其它

引腳信息

DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封裝的引腳配置

引腳說明

符號 引腳 說明
DSA 1 數據輸入
DSB 2 數據輸入
Q0~Q3 3~6 輸出
GND 7 地 (0 V)
CP 8 時鐘輸入(低電平到高電平邊沿觸發)
/M/R 9 中央復位輸入(低電平有效)
Q4~Q7 10~13 輸出
VCC 14 正電源

功能表

工作模式 輸入 輸出
/M/R CP DSA DSB Q0 Q1 至 Q7
復位(清除) L L X X L:L至L
移位 H l l L:qo至q6
H l h L q0 至 q6
H h l L q0 至 q6
H h h H q0 至 q6

H = HIGH(高)電平

h = 先於低-至-高時鐘躍變一個建立時間 (set-up time) 的 HIGH(高)電平

L = LOW(低)電平

l = 先於低-至-高時鐘躍變一個建立時間 (set-up time) 的 LOW(低)電平

q = 小寫字母代表先於低-至-高時鐘躍變一個建立時間的參考輸入 (referenced input) 的狀態

↑ = 低-至-高時鐘躍變

極限值

符合絕對最大額定值體系 (IEC 60134) 的規定。電壓參考點為 GND(地 = 0 V)。

對於 DIP14 封裝:Ptot 在超過 70 °C 時以 12 mW/K 的速度線性降低。

對於 SO14 封裝:Ptot 在超過 70 °C 時以 8 mW/K 的速度線性降低。

對於 SSOP14 和 TSSOP14 封裝:Ptot 在超過 60 °C 時以 5.5 mW/K 的速度線性降低。

對於 DHVQFN14 封裝:Ptot 在超過 60 °C 時以 4.5 mW/K 的速度線性降低。

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