1989畢業於西安交通大學電子工程系電子材料及元器件專業，
1992畢業於東南大學電子系，獲工學碩士學位，同年進入中國電子科技集團第五十五研究所工作，一直從事微波半導體器件及單片積體電路方面的研究開發和管理工作，
曾先後擔任中國電科五十五所化合物部副主任、黨支部書記，單片電路設計部副主任（主持工作）、黨支部書記等職，2010年4月任單片電路設計部副主任（主持工作）、黨支部書記至今。
《2-6GHZ T/R組件用砷化鎵單片積體電路套件》獲2004年國家國防科學技術進步一等獎；
參與完成的《MESFET/PHEMT MMIC技術研究》獲2006年國家國防科學技術進步二等獎；
參與完成的《砷化鎵單片積體電路工程化技術》獲2009年國家國防科學技術進步二等獎；
參與完成的《WFD0067型毫米波功率放大器晶片》獲2010年國家國防科學技術進步三等獎；
參與完成的《微波毫米波單片鏡像抑制混頻器系列》獲2010年國家國防科學技術進步三等獎；
參與完成的《砷化鎵單片積體電路工程化技術》獲2009年中國電科科學技術二等獎。
作為課題第一負責人，完成了“GaAs MMIC電路元件可靠性及電路拓撲對可靠性影響的分析”的課題鑑定及“3英寸GaAs圓片實用化技術-單片電路研究”的課題鑑定。
有《Ku波段單片功率放大器》、
《手機用砷化鎵單刀雙擲射頻開關》、
《金屬陶瓷貼片封裝的S波段六位數控移相器》、
《泡顯影液法T TOP剝離工藝研究》等。
入所工作二十年來，黃念寧同志始終秉承“國家利益高於一切”的核心價值觀，以設計製造國際一流晶片為己任，為早日把五十五所打造成“國內卓越、世界一流”的電子元器件供應商而努力奮鬥。作為一名優秀的共產黨員和科技工作者，黃念寧同志思想認識深、技術水平高、工作能力強、團結協作好，她任勞任怨，作風紮實，工作中講求創新、注重細節，先後在工藝開發、技術管理和行政管理等工作崗位上取得了優異成績，作出了重要貢獻。她參與了國內第一條3英寸0.5微米砷化鎵（GaAs）工藝線的建設和開發，並發揮了關鍵作用，她通過學習掌握新設備、開發最佳化新工藝、引入管理新理念，打通了工藝流程，逐步建立和完善了3英寸0.5微米GaAs工藝體系，促進了國內砷化鎵技術的快速發展；她帶領團隊成功完成了GaAs PHEMT器件工藝的技術引進工作，建立了國內最先進的4英寸GaAs產品工藝線，並通過持續的技術開發和高效的運行管理，形成了0.35um、0.25um和0.15um GaAs PHEMT三大標準工藝平台，大大提升了砷化鎵器件工藝的研發和生產水平，促使國內砷化鎵MMIC技術逐步走向成熟；在擔任單片電路設計部副主任（主持工作）期間，她精心謀劃發展思路，積極尋求得力舉措，工作中求創新、求轉變、求發展，努力提高晶片設計水平，深入推進工藝與設計的緊密結合，大力加強市場開拓力度，實現了年產100萬片的晶片生產和銷售規模，在重點工程配套中繼續占領了主導地位，大大增強了五十五所的核心競爭力和可持續發展能力…多年來，黃念寧一步一個腳印，一步一個台階，用她那女性特有的細膩和執著感染、帶動身邊的團隊不斷開拓創新，攻克了一個又一個技術難關，實現了一項又一項技術突破，為我國武器裝備配套和國防現代化事業做出了突出貢獻，充分展現了一名國防科技戰線女科技工作者的時代風采。
