霍爾效應電輸運測量系統可用來理解和表征材料物理性，具有不可估量的價值，這些材料通常包括:半導體材料（比如說Si,Ge,GaAs,AlGaAs,CdTe,andHgCdTe）、電磁材料（磁電阻器件、GMR薄膜、稀磁半導體、超導體材料）。材料霍爾效應電輸性質測量和磁電阻效應的測量適用於材料的研究、產品開發和質量控制。
現代材料從複合半導體材料到納米材料，已經將輸運特性的測量推到了極限，這些材料為今天的材料研究人員創造了獨特的挑戰。LakeShore公司的霍爾效應系統為小電流和小電壓的控制提供了解決方案，其測量範圍：0.04mohmto200Gohm，加上AC電流選件，阻值範圍可擴展到10µohmto200Gohm。系統操作簡單、測量精確，系統在進行樣品測量時，可以實現對磁場和溫度的自動控制。基本系統最多同時可對兩個樣品在室溫或液氮溫度下進行測量，加上四樣品測量模組，在不改動其它硬體的條件下，就可以實現四個樣品的連續測量。在變磁場下得到的測量數據經過QMSA軟體（選件）分析得到的數據結果給科研人員提供了非常有價值的信息。
霍爾效應測量系統可獲得的數據結果包括：電阻、電阻率、霍爾係數、霍爾遷移率、載流子濃度、電流-電壓特性曲線。測量數據時實反饋，以圖形和表格的形式顯示在軟體中。用VanderPauw、Hallbar、四引線磁阻法測量的數據還可以日後進行進一步的處理、分析和顯示。
系統特點·同一系統可測定霍爾電壓，霍爾電阻，磁致電阻及伏安特性；計算電阻率、霍爾係數、載流子濃度和遷移率。·電阻範圍：0.04mΩ~200GΩ，測量誤差<5%；加AC電流選件，阻值範圍可擴展到10µohmto200Gohm。·最低樣品測試溫度可以達到15K；最高可達到800K。·在一個實驗程式下可完成多個試驗步驟。·系統可自動計算電阻率、惑爾係數、載流子濃度和遷移率·軟體中樣品定義、測量設定、測量結果是單獨保存的，這樣對以後的使用提供了很大的方便·測量過程採用計算機自動控制和數據採集，操作簡單省時。·數據進行時實採集和處理，可以以曲線或圖表兩種形式顯示·系統磁性穩定性好，採用水冷電磁鐵，閉環反饋·測量軟體工作在Windows®XP®作業系統下·標準的Windows®Explorer®界面可進行操作設定、樣品和測量設定
可測試材料多數複合半導體材料，包括SiGe,SiC,INAS,InGaAs,INP,AlGaAs,andHgCdTe,磚石鐵,氧體材料;低阻材料，包括金屬、透明氧化物、稀磁半導體器件和TMR材料高阻材料，包括半導體絕緣材料、GaAs、GaN、CdTe和光電探測器
套用霍爾效應系統功能強大，可以專門用來進行霍爾效應測量研究。利用變化的磁場和QMSA軟體，研究人員可進行2DEG的pHEM和器件表層遷移率的測量。另外，還可以用來進行一些生長系統（例如CVD、MBE）生長的半導體器件純度的鑑定進行霍爾效應研究用的常用參數都可以在7707A上測量獲得：載流子濃度、本徵載流子濃度、遷移率和溫度的關係、激活能量等
主要型號7600低阻電磁鐵系列7604型霍爾效應系統7607型霍爾效應系統7612型霍爾效應系統
7700高阻電磁鐵系列7704A型霍爾效應系統7707A型霍爾效應系統7612A型霍爾效應系統
9700高阻超導磁體系列9709A型霍爾效應系統
