鍺電阻溫度計

在Ⅰ區中，半導體本徵激發占優，溫度越低本徵激發所產生的載流子也少，電阻越大。 在Ⅱ區雜質已全部激發，溫度降低時由於晶格振動對載流子的散射作用減弱，所以電阻減小。 在Ⅲ區中雜質激發所產生的載流子隨溫度的降低而減少，電阻增加。

鍺電阻溫度計（germaniumresistancethermometer） 半導體在一定溫度範圍內其電阻具有負溫度係數，隨溫度降低而增大。因此，用半導體材料做成的溫度計，可以彌補金屬電阻溫度計在低溫溫區靈敏度降低的不足。鍺電阻溫度計是由摻雜鍺單晶製成。高純鍺主摻鎵，補償銻則有如圖之溫度電阻曲線。在Ⅰ區中，半導體本徵激發占優，溫度越低本徵激發所產生的載流子也少，電阻越大。在Ⅱ和Ⅲ區主要是雜質激發所產生的載流子參與導電過程。在Ⅱ區雜質已全部激發，溫度降低時由於晶格振動對載流子的散射作用減弱，所以電阻減小。在Ⅲ區中雜質激發所產生的載流子隨溫度的降低而減少，電阻增加。在Ⅳ區，10K以下本徵與雜質激發都不能進行，幾乎沒有自由載流子，這時僅為雜質能級電導，在電場下形成微弱的電流，溫度低電阻高。由此利用Ⅲ、Ⅳ兩區，將鍺電阻分度，即成鍺電阻溫度計。