鉻矽電阻薄膜

Cr-Si 以鉻和矽為主成分的薄膜高阻材料。 具有電阻率高、穩定性好、電阻溫度係數小等特點。

Cr-Si thin film resistor
以鉻和矽為主成分的薄膜高阻材料。具有電阻率高、穩定性好、電阻溫度係數小等特點。控制矽化物結構，可得到各種電性能材料。如隨鉻增加，電阻率下降，電阻溫度係數可從負數逐漸變到正值，一般方阻3～5kΩ，電阻溫度係數(100～150)×10-6/℃。採用濺射、電子束蒸發、真空蒸鍍等方法製取，主要用於製作薄膜混合積體電路中的薄膜電阻器。