邢益榮

研究員，1961年畢業於中山大學物理系。 主要從事半導體物理和半導體器件物理的研究工作。 主要譯著有《微波半導體器件》（科學出版社

概述

邢益榮，男，1938年9月出生，海南文昌人。研究員，1961年畢業於中山大學物理系。現任職於中國科學院半導體研究所和中國科學院表面物理國家重點實驗室。中國真空學會會員。

主要貢獻

主要從事半導體物理和半導體器件物理的研究工作。在半導體表面和界面物理、半導體高密勒指數晶面的性質、半導體異質結構材料利微波半導體器件等方面有較深入的研究。
80年代以來，主持了"半導體高密勒指數晶面的性質"和"半導體高指數晶面用於外延生長和器件製作"等多項國家自然科學基金研究項目。
曾獲得重要研究成果和獎勵多項。
主要譯著有《微波半導體器件》（科學出版社 1976年出版）等；
發表論文約 100篇，主要有矽（113）晶面的表面原子相變和利用圓柱狀樣品研究半導體的表面性質等。