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I-V測量
I-V測量與直流電流-電壓（I-V）和電容-電壓（C-V）測量一樣，超快I-V測量[1]能力對於特徵分析實驗室中所有負責開發新材料、器件[2]或工藝的所...
定義概述 I-V測量技術的發展 展望下一代超快I-V測試系統 -
C-V測量
C-V測量是半導體特徵分析與測試的基礎。
概念 三種測量技術 方法與套用 局限性 測量誤差 -
北京海瑞克科技發展有限公司
、測量取數快、精度高、測量範圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點... 四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶矽...、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數據既可由主機直接顯示，亦可由...
公司簡介 公司主營業務 矽片及矽料測試設備 太陽能電池測試設備 太陽能電池實訓設備 -
4200-SCS型半導體特性分析系統
* 4225-PMU超快I-V模組* 4220-PGU脈衝發生器單元（僅電壓源...* 4225-PMU超快I-V模組 ... 0.1fA* 用於高級半導體測試的新型脈衝與脈衝式I-V功能* 集成了示波與脈衝...
特徵 配件套用 儀器套用 套用套件 -
TLP
/三階段模型 ，則需要通過分階段（如超快階段和普通階段）進行測試分析...的ESD測試設備之間測試結果也有一定的差異；此外，TLP系統是超快脈衝，輕微...I-V信息主要關注的是最大值，而過沖問題會將其掩蓋，另一方面電阻通常只有1...
TLP設備原理 TLP脈衝與各靜電放電模型之間的異同 技術研發歷程 技術服務情況 -
相變存儲器
脈衝掃描同時獲得I-V和RI曲線，其中採用了高速脈衝源和測量儀器，即雙通道的4225-PMU 超快I-V模組。這種新模組能夠提供電壓源，同時以較高...GST、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極。測量技術相變存儲器1、相變...
存儲數據 發展歷史 物理變化 相互轉化 工作原理 -
過電應力(EOS)器件、電路與系統
時間常數——傳輸線脈衝332.2.5ESD脈衝時間常數——超快傳輸線...
內容簡介 圖書目錄 -
分子電子器件
、分子開關、分子二極體、分子場效應電晶體、分子存儲器件等,測量並解析這些分子尺度元器件的電學特性。其目標是用單個分子、超分子或分子簇代替矽基.... 從這個意義上講液晶屬於電色材料. 大容量、寬視角、高對比度、快回響、低能耗...
1概述 2分子電子器件材料 3 分子電子器件分類 -
單電子器件
時，注意到了I-V特性曲線明顯的時滯特性。同時SET的小尺寸、低功耗...而其工作速度特別快（可達幾十+CD）。第三，其尺寸特別小（納米量級），利於...較小, 同樣可以獲得分子水平上有序的固態超薄膜. [3] 單電子器件的加工...
1概述 2單電子學基本概念 3 SED 的製作 4單電子電晶體 5潛在的套用前景 -
超導電子學
超導性與液氦4He的超流動性的相似性而將其統稱為超流體，建立了超導唯象...的研究，指出超導態中的超流電子存在某種有序化，且臨界溫度Tc以下有序度...在關於隧道超流現象的著名論著中預言了超導隧道效應，也稱約瑟夫遜效應...
簡史 學科內容 超導微觀理論 高頻電磁特性 約瑟夫遜效應
