簡介
范希武，男，1936年7月生於浙江省南潯鎮，1957年畢業於上海市復旦大學物理系，畢業後相繼在中科院物理所，長春物理所和長春光機與物理所從事發光學和半導體光電子學的研究工作。曾去英國Durham大學任高級訪問學者二年。現任研究員，博士生導師和中科院激發態物理重點實驗室學術委員會副主任等職，兼任中國物理學會發光分會主任和《發光學報》主編等職。
范希武，曾任中科院長春物理所學位委員會主任、學術委員會常務副主任、集成光電子國家聯合重點實驗室學術委員會副主任和中國科學院激發態物理重點實驗室主任等職。曾兼任國家自然科學基金委員會信息科學部共五屆專家評審組成員及副組長等職。曾任1987年召開的第8屆國際發光學學術會議地區組織委員會秘書長，和2005年召開的第14屆國際發光學學術會議地區組織委員會主席。
范希武長期從事寬頻Ⅱ-Ⅵ族半導體光電子學和發光學的研究，是我國在該研究領域的創始人和主要學術帶頭人。他在學術上的主要貢獻為：第一，系統地研究了在電場激發下寬頻Ⅱ-Ⅵ族半導體中自由激子的發射，明確提出並實現了利用寬頻Ⅱ-Ⅵ族半導體直接帶躍遷來獲得本徵發射的物理思想；第二，創造性地研究了寬頻Ⅱ-Ⅵ族半導體超晶格的光雙穩，率先提出利用寬頻Ⅱ-Ⅵ族半導體的室溫激子效應來實現室溫、可見光短波段和快速回響的激子型光雙穩開關器件的物理思想，並在實驗上取得了預期的效果；第三，深入研究了寬頻Ⅱ-Ⅵ族半導體超晶格中的激子行為以及激子與元激發態的相互作用，為利用激子獲得有效藍色自發和受激發射提供了物理基礎和實驗途徑；第四，研究了ZnSe基非對稱雙量子阱和組合超晶格中激子的隧穿以及激子的自發和受激發射；第五，研究了CdSe和ZnSeS自組裝量子點的生長及其形成機理；第六，研究了高質量ZnO薄膜的多種生長方法及其紫外發射特性。上述研究成果經審定達到國際先進水平，部分結果達到國際領先水平。
范希武共發表學術論文和專著共400多篇，其中國際學術會議邀請報告10次，國際學術期刊150多篇，國內學術會議邀請報告22次，他發表的學術論文被SCI他人引用達170多次。范希武共取得科技成果獎18項，其中包括中國科學院自然科學獎一等獎和三等獎各1項，省科技進步獎一等獎1項，及全國科學大會獎1項等。范希武歷年來主持的科研項目共20多項，其中有國家863高技術計畫項目，國家攀登計畫項目和國家自然科學重大基金項目所屬課題，國家自然科學基金項目，中科院重點科研項目，以及國際和地區合作科研項目等。范希武共培養了碩士生16名，博士生19名，博士後1名，並有7人次分獲中科院院長研究生獎學金，他本人於1990年以來五次榮獲中科院優秀研究生導師獎。他於1991年獲國務院頒發的政府特殊津貼獎，於1993年獲吉林省英才獎章，獲省委和省政府頒發的政府特殊津貼獎，於1998年和2002年分別獲得省委和省政府頒發的吉林省首批和第二批省級優秀專家等各種獎勵。
經過多年的努力和積累，范希武已在國內建立起一個可供開展國際前沿研究課題的先進實驗室，已培養出一支能在國際前沿研究領域進行攻堅的青年骨幹隊伍，從而將該領域的科研工作從無到有，逐步推向國際前沿，使我國該領域的研究工作在國際上占有重要地位。
