腦電圖偽差

腦電圖易受各種因素的影響而出現偽差，所以在描記中應時刻注意識別和排除。來源於電極的偽差 電極阻值過高、電極阻值不同、電極接觸不良、電極距離不等、電極短路、電極導聯夾斷線、電極夾連線不良、導聯線與輸入插口接觸不良、微音器效應等。

1．來源於受檢者的偽差 肌波、眨眼、眼球動作、血管波、心電圖、呼吸動作、軀體動作、出汗、不自主動作、假牙咬合電位等。

2．來源於電極的偽差 電極阻值過高、電極阻值不同、電極接觸不良、電極距離不等、電極短路、電極導聯夾斷線、電極夾連線不良、導聯線與輸入插口接觸不良、微音器效應等。

3．腦電圖儀器功能失常 接地不良、放大器內元、部件故障及標準電壓訊號失常(機械性阻尼、電路阻尼)、前放器電源供應失常等。

4．外界電干擾 主要為電磁波干擾及靜電感應。常來自腦電圖室附近的超短波儀、高頻震盪器、X線機和大功率的其他電氣器械的電磁波干擾，沒有禁止的各類交流電源線，室內其他電子儀器同時使用，地線不合格，受檢者穿著化纖衣服產生靜電感應等。

如出現偽差要隨時排除及在描記中做出標記。為減少偽差，腦電圖室應設有禁止。