圖書信息
作 者： 郭玲 著
內容簡介
納米鋁二元團簇結構及其吸附性能的研究是當前團簇科學研究的熱點，本書採用第一性原理中的各種方法對系列含鋁團簇的幾何結構和電子性質等進行理論研究，發現該類團簇的結構及其成鍵特徵，為其他團簇的計算提供更為詳盡的信息。在研究團簇的基礎上，首次探討二元團簇氮化鋁、磷化鋁與小分子的化學吸附反應，尋找吸附後團簇穩定性幻數，總結吸附反應規律。為指導實驗產生新型團簇、發現新型吸附儲氫材料及理解團簇催化反應機理提供理論依據。
本書可供化學、材料、物理專業的科研人員、高校教師和研究生閱讀參考
目錄
第1章 團簇概述
1.1 引言
1.2 團簇的性質
1.2.1 幻數分布
1.2.2 基態結構
1.2.3 巨大的表體比和化學活性
1.2.4 電離能和電子親和能
1.2.5 五重軸對稱性
1.2.6 顯著的弛豫效應
1.2.7 庫侖爆炸和碎片化
1.2.8 磁性
1.2.9 團簇裂變和原子核裂變
1.2.10 團簇的嵌埋和組合
1.3 團簇的產生和檢測
1.3.1 團簇源概述
1.3.2 團簇的合成方法簡介
1.3.3 團簇的表征和檢測
1.4 Ⅲ～V族化合物半導體材料和Ⅲ～V族團簇
1.4.1 Ⅲ～V族化合物半導體的一般性質
1.4.2 Ⅲ～V族化合物半導體的晶體結構
1.4.3 Ⅲ～V族化合物半導體晶體的化學鍵和極性
1.4.4 Ⅲ～V族化合物半導體晶體的能帶結構
1.4.5 Ⅲ～V族團簇的研究現狀
參考文獻
第2章 量子化學方法
2.1 第一性原理與Hartree-Fock近似
2.2 從頭計算方法和分子軌道理論
2.3 密度泛函理論
2.4 價鍵理論
2.5 Gaussian98程式
參考文獻
第3章 二元團簇磷化鋁的理論研究
3.1 等比磷化鋁中性及其離子團簇幾何結構和電子性質的演變規律研究
3.2 第一性原理對AlP團簇的最低能量結構及其電子性質的研究
參考文獻
第4章 二元團簇氮化鋁的理論研究
4.1 氮化鋁團簇研究進展
4.2 方法簡介
4.3 密度泛涵理論研究AlN團簇的基態結構及其穩定性
參考文獻
第5章 二元團簇砷化鋁的理論研究
5.1 引言
5．1．1 砷團簇的研究概況
5．1．2 計算方法簡介
5．1．3 結果討論
5．1．4 結論
5．2 砷化鋁AlmAsm（m+n=2-5）混合小團簇的結構、電子親和能和振動頻率研究
5．2．1 AlmAsn（m+n=2）
5．2．2 AlmAsn（m+n=3）
5．2．3 AlmAsn（m+n=4）
5．2．4 AlmAsn（m+n=5）
5．2．5 振動頻率分析
5．2．6 結論
5．3 ALnAsm（n=1-7；m=1，2）負離子團簇的結構與穩定性
5．3．1 幾何構型和電子結構
5．3．2 振動頻率分析
5．3．3 能量和熱力學性質
5．4 ALnAsm（n=1，2；m=1-7）正離子團簇的結構與穩定性
5．4．1 幾何結構和電子態
5．4．2 振動頻率分析
5．4．3 能量和熱力學性質
5．4．4 絕熱電離能
5．4．5 結論
5．5 （AlAs）n（n=1-15）中性及離子團簇結構及其穩定性研究
5．5．1 團簇的幾何結構、近鄰原子距離和配位數
5．5．2 結合能和相對穩定性
5．5．3 電子性質
5．5．4 結論
參考文獻
第6章 二元鋁合金團簇鋁鈷的密度泛函理論研究
6．1 鋁鈷團簇研究現狀簡介
6．2 計算方法簡介
6．3 結果與討論
6．3．1 結構與性質
6．3．2 結合能與相對穩定性
6．3．3 電子性質
6．3．4 電離能
6．3．5 電子親和能
6．4 結論
參考文獻
第7章 團簇表面吸附的量子化學研究
7．1 表面吸附微觀機理的研究進展
7．1．1 引言
7．1．2 表面吸附的基礎理論
7．1．3 表面吸附微觀機理研究的發展趨勢
7．2 團簇吸附理論研究現狀
參考文獻
第8章 氮化鋁和磷化鋁團簇吸附性能研究
8．1 氮化鋁及其離子團簇吸附C0的密度泛函研究
8．1．1 計算方法
8．1．2 氮化鋁及其離子團簇的基態結構
8．1．3 Co在氮化鋁團簇上的吸附
8．2 磷化鋁團簇吸氫的幻數規律和成鍵特徵
8．2．1 計算方法
8．2．2 結果討論
8．2．3 結論
參考文獻
致謝
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前言
材料是人類社會發展的物質基礎與先導，每一種重大新材料的發現和套用都把人類支配自然的能力提高到一個全新的高度，材料已成為人類發展的里程碑。20世紀中期單晶矽材料和半導體電晶體的發明及其矽積體電路的研製成功，引發了電子工業大革命，使微電子技術和計算機技術得到飛速發展。70年代初石英光纖維和砷化鎵（GaAs）等Ⅲ－V族化合物半導體雷射材料的出現，促進了光導纖維通信技術迅速發展並逐步形成高技術產業。超品格概念的提出，分子束外延技術（MBE）、金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）先進生長技術的發展和完善以及超品格量子阱材料包括一維量子線、零維量子點材料的研製成功，徹底改變了光電器件的設計思想，使半導體器件的設計與製造從過去的“雜質工程”發展到“能帶工程”，出現了以“電學特性和光學特性的剪裁”為特徵的新範疇，使人類跨人到以量子效應為基礎和低維結構為特徵的固態量子器件和電路的新時代，並極有可能觸發新的技術革命。半導體微電子和光電子材料已成為21世紀信息社會的兩大支柱高技術產業的基礎材料。它的發展將會使通信、高技術計算、大容量信息處理、儲存與顯示、空間防禦、電子對抗以及武器裝備的微型化智慧型化等這些對於國民經濟和國家安全都至關重要的領域產生巨大的技術進步，因而受到國內外極為廣泛的重視。
以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（（3aP）等為代表的Ⅲ－V族化合物半導體材料大多是直接帶隙材料，與矽相比，具有光學躍遷機率、電子飽和漂移速度高以及耐高溫、抗輻照等特點，在超高速、超高頻、低功耗、低噪聲器件和電路，特別是在光電子器件和光電子儲存等方面占有獨特的優勢，受到廣泛重視，成為第二代半導體材料的代表。直徑為2—3in的N型和P型GaAs和InP單晶材料主要用於光電器件的襯底，常用水平布里奇曼（HB）或高壓液封直拉法（LEC）製備，其摻雜濃度、均勻性和晶體完整性（除InP單晶位錯密度需進一步降低外）可基本滿足傳統光電子和微電子器件的需求。未摻雜半絕緣（Si）GaAs單晶是GaAs積體電路的基礎材料，主要採用LEC法製備，已形成工業化生產規模。
