程玉華簡介
程玉華，教授，博士生導師， IEEE FELLOW，上海微電子研究院院長。1989年於清華大學獲得博士學位。 1990年進入北京大學做博士後研究，完成兩年科學研究後留校，任副教授。1994年赴挪威川得漢姆(Trondheim)大學做訪問學者一年。1995年受美國加州伯克利大學著名教授、美國國家工程科學院院士胡正明博士邀請赴該校擔任BSIM3V3項目負責人。1996年該項目取得重大突破，被評為年度世界100項重大科研成果之一。被美國電子工業協會定為行業標準。對世界半導體發展產生了重大影響。 1997年-2006年先後在美國Rockwell、Conexant、Skyworks、Siliconlinx任技術和管理職務，2006年回到北大任職。近十(五)年來發表文章90(30)余篇，其中SCI/EI收錄50(20)余篇。出版英文專著兩部，其中’Guide>與胡正明博士 合作出版，同時也被翻譯成日文在日本出版發行。另一部與挪威著名教授、IEEE Fellow、挪威國家科學院院士Dr. Tor A. Fjeldly 合作出版。曾數十次受邀在國際會議上做特約報告。多次被哈佛大學、麻省理工學院、加州伯克利大學、華盛頓大學等十多所美國著名大學邀請前往做專題講座。現為國際電子電氣工程師協會電子器件分會Distinguished Lecturer。主要研究領域是器件建模、EDA技術研究、模擬/射頻積體電路設計和系統集成技術平台開發。
研究方向
模擬/射頻電路設計；EDA 技術
主要科研項目
1．985項目，RF SOC設計技術平台開發研究，教育部，2006.8-2007.12，課題總體負責人。
2．863項目，CMOS兼容MEMS設計工具框架與設計流程開發及其在RF MEMS設計中的套用，
2006AA04Z301，科技部，2006.12-2008.12，
3．自然科學基金重點項目，納米工藝下可製造性和成品率驅動的積體電路設計方法學研究，2007-2010。
近年來主要成果
1．MOSFET Modeling for RF IC Design (論文) IEEE Transactions On Electron Devices, Vol. 52, No. 7, pp. 1286-1303, July 2005
2．High-Frequency Characterization and Modeling of Distortion Behavior of MOSFETs for RF IC Design (論文) IEEE Journal Of Solid-State Circuits, VOL. 39, NO. 9, pp. 1407 – 1414, September 2004
3．High frequency small signal AC and noise modeling of MOSFETs for RF IC design (論文) IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 49, pp. 400 – 408, March 2002
4．Parameter extraction of accurate and scalable substrate resistance components in RF MOSFETs (論文) IEEE Electron Device Letters, Vol. 23, No. 4, pp. 221 – 223, April 2002.
5．Device Modeling for Analog & RF CMOS Circuit Design (英文專著) John Wiley and Sons Ltd, 2003
