科塞爾原理

科塞爾原理即層生長理論(理想條件) 晶體的理想成長過程是:在晶芽的基礎上先長一層面網,再長相鄰的一層,逐層的向外平行推移,當生長停止時,其最外層的面網便成為實際晶面,每兩個相鄰面網相交的公共行列即為實際晶棱,整個晶體則為晶面所包圍形成占有一定空間的封閉幾何多面體——結晶多面體,從而表現出晶體的自范性。

科塞爾原理即層生長理論(理想條件)
晶體的理想成長過程是:在晶芽的基礎上先長一層面網,再長相鄰的一層,逐層的向外平行推移,當生長停止時,其最外層的面網便成為實際晶面,每兩個相鄰面網相交的公共行列即為實際晶棱,整個晶體則為晶面所包圍形成占有一定空間的封閉幾何多面體——結晶多面體,從而表現出晶體的自范性

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