科塞爾原理

科塞爾原理即層生長理論（理想條件）
晶體的理想成長過程是：在晶芽的基礎上先長一層面網，再長相鄰的一層，逐層的向外平行推移，當生長停止時，其最外層的面網便成為實際晶面，每兩個相鄰面網相交的公共行列即為實際晶棱，整個晶體則為晶面所包圍形成占有一定空間的封閉幾何多面體——結晶多面體，從而表現出晶體的自范性。