磷銻化鋁鎵

磷銻化鋁鎵;gallium alumin timon

磷銻化鋁鎵;gallium aluminum antimonide phosphide
分子式：InxAl1-xSbyP1-y；0≤x≤1；0≤y≤1
性質：周期表第Ⅲ、V族元素化合物半導體。立方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數和禁頻寬度隨x、y的變化而變化。存在間接帶隙半導體區。可在銻化鎵、砷化銦襯底上用液相外延、分子束外延等方法製備。用於製作紅外發光器件和雷射器件。