磁性隧道二極體

"etic ction 在工作時，鐵磁體1使流入的電子的自旋極化，當鐵磁體2的磁化方向與鐵磁體1的相同時

磁性隧道(結)二極體（Magnetic Tunnel Junction diode）：
這是一種綜合利用電子的自旋特性和電荷特性的一種自旋-電子器件。其結構是由兩層鐵磁性金屬（1和2）夾一層較薄(能隧道穿透)的非磁性絕緣體而構成。在工作時，鐵磁體1使流入的電子的自旋極化，當鐵磁體2的磁化方向與鐵磁體1的相同時, 則自旋極化了的電子即通過隧穿效應而到達鐵磁體2，形成較大的電流——開通狀態；當鐵磁體2的磁化方向與鐵磁體1的相反時，則自旋極化了的電子的隧穿效應減弱，通過的電流很小——關斷狀態。這就實現了電流的“通”和“斷”兩種狀態，這也就是磁性隨機存取存儲器（MRAM）的器件基礎。