基本信息
作 者：曾凡光 著出 版 社：國防工業出版社ISBN：9787118058925出版時間：2008-09-
內容簡介
第1章緒論，從真空微電子學發展的歷程和面臨的挑戰以及碳納米管場發射顯示器研究現狀和存在的主要問題，提出了本書的研究內容和研究思路。第2章碳納米管及其場發射陰極的製備方法，本章的立足點在於介紹基於碳納米管的場發射陰極的製備方法，而不是一般意義上的碳納米管的製備方法。第3章移植法製備場發射陰極薄膜工藝，重點介紹了碳納米管場發射陰極的絲網印刷製備工藝及所製備的陰極的場發射特性，並提出了一種用於處理印刷碳納米管場發射陰極場的後處理方法，該方法可使基於絲網印刷工藝製備的碳納米管場發射陰極的發射特性和發光均勻性得到顯著改善。第4章印刷碳納米管薄膜場發射過程中的電子輸運，介紹了金屬自由電子模型、金屬的表面勢壘及逸出功、場發射現象及其基本規律，並用量子力學方法對印刷碳納米管薄膜表面的電子透射率進行模擬，獲得了印刷碳納米管薄膜中的電子輸運的基本情況。第5章碳納米管場發射顯示器的製造工藝，介紹採用完全絲網印刷技術製造碳納米管場發射顯示器，並對製造工藝進行了詳細介紹。第6章全印刷碳納米管場發射顯示器可靠性技術，研究了影響碳納米管場發射顯示器穩定性的因素，通過對銀漿印刷層和CNT印刷層進行共燒結處理，改善了CNT與襯底的接觸，結合排氣時的除氣處理，使器件的發光穩定得到大幅度提高。此外對器件的失效機理進行了研究，通過適當的老練使真空擊穿得到有效預防。
目錄
第1章 緒論
1.1 真空微電子學的產生與發展
1.1.1 真空微電子學產生的背景
1.1.2 真空微電子學的發展歷程
1.2 CNT-FED的研究現狀及存在的主要問題
1.2.1 CNT-FED的研究現狀
1.2.2 CNT-FED面臨的主要問題及應對策略
1.3 CNT-FED的發展前景
1.4 本書的選題及寫作結構
1.4.1 選題的背景
1.4.2 內容結構
小結
參考文獻
第2章 碳納米管及其場發射陰極的製備方法
2.1 引言
2.2 CNT的基本性質
2.3 CNT的製備方法
2.3.1 電弧法
2.3.2 雷射蒸發法
2.3.3 化學氣相沉積法（CVD法）
2.3.4 火焰法
2.4 CNT的可控生長——用於CNT場發射陰極的製備工藝
2.4.1 CNT生長形態的控制
2.4.2 CNT生長方向的控制
2.4.3 CNT生長區域的控制
2.4.4 CNT在玻璃襯底上的低溫生長
2.5 CNT場發射陰極陣列的移植法製備工藝
小結
參考文獻
第3章 移植法製備場發射陰極薄膜工藝
3.1 引言
3.2 CNT絲網印刷漿料的配製
3.2.1 CNT原料的純化
3.2.2 CNT的分散
3.2.3 製漿劑的加入與溶解
3.3 印刷CNT薄膜的製備
3.4 印刷CNT薄膜的場發射特性
3.4.1 印刷CNT薄膜的I-V特性
3.4.2 印刷CNT薄膜場發射條件下的發光情況
3.4.3 印刷CNT薄膜的場發射電流穩定性
3.4.4 不同CNT含量對場發射特性的影響
3.5 印刷CNT薄膜後處理工藝研究
3.5.1 膠帶處理方法
3.5.2 電漿處理
3.5.3 機械破碎與氣流清理方法
3.5.4 印刷CNT薄膜場發射均勻性的提高
3.6 印刷CNT薄膜場發射特性改進的機理
3.6.1 影響印刷CNT薄膜場發射特性的原因
3.6.2 發光均勻性提高的原因
3.7 關於印刷CNT薄膜的幾個問題的討論
小結
參考文獻
第4章 印刷碳納米管薄膜場發射過程中的電子輸運
4.1 金屬自由電子氣體模型
4.2 金屬的表面勢壘和逸出功
4.3 場致發射現象及其基本規律
4.3.1 場致電子發射現象
4.3.2 場致電子發射的Fowler-Nordheim理論
4.3.3 場發射冷陰極的套用研究
4.3.4 關於CNT薄膜場發射特性的討論
4.4 印刷CNT薄膜的電子輸運模型
4.4.1 印刷CNT薄膜中電子對絕緣層的隧穿
4.4.2 後處理的作用
小結
參考文獻
第5章 碳納米管場發射顯示器的製造工藝
5.1 碳納米管場發射顯示器製造技術現狀
5.2 CNT-FED的結構與原理
5.2.1 二極CNT-FED的結構與原理
5.2.2 三極CNT-FED的結構與原理
5.3 CNT-FED結構設計
5.3.1 器件結構及製造工藝
5.3.2 CNT-FED的設計參數
5.4 CNT-FED製造工藝流程
5.4.1 準備過程
5.4.2 工藝過程
5.4.3 關於製造工藝的幾點討論
5.5 低成本高效率的ITO透明電極製造新工藝
5.6 全印刷cNT-FED器件的工作情況
5.7 器件測試
5.7.1 測試結果摘要
5.7.2 測試方法說明
小結
參考文獻
第6章 全印刷碳納米管場發射顯示器可靠性技術
6.1 引言
6.2 普通全印刷CNT器件的穩定性問題
6.2.1 早期器件的衰減特點
6.2.2 脫附氣體分子數量對器件內部真空度的影響
6.3 減少吸附氣體分子數量對發光穩定性的提高
6.3.1 器件在封裝過程中的烘烤除氣
6.3.2 真空封裝過程的烘烤除氣對器件發光穩定性的影響
6.4 影響穩定性的另一重要因素——CNT與襯底間的接觸
6.4.1 CNT與襯底歐姆接觸對場發射穩定性的影響
6.4.2 機理分析
6.4.3 共燒結工藝討論
6.5 印刷CNT薄膜失效原因分析
6.5.1 CNT在高電流及真空電弧條件下的消耗
6.5.2 襯底的損壞
6.5.3 老練對真空擊穿的預防作用
小結
參考文獻
