碳化矽半導瓷

碳化矽半導瓷

正文

一種重要的陶瓷半導體材料。俗稱“金剛砂”。化學式SiC,分子量40，天然產物極少。工業用碳化矽是石英砂與焦炭混合加熱至2000～2400℃而製得。純碳化矽是無色晶體，絕緣電阻很高。含有雜質以及矽或碳過量時,碳化矽呈暗黑色或灰綠色，屬半導體。含V族元素雜質和含Ⅱ、Ⅲ族元素雜質的碳化矽晶體分別呈n型和p型；矽過量和碳過量的碳化矽晶體分別呈n型和p型。將半導體碳化矽粉粒加入粘土或玻璃等作粘結劑（加入量約占35～50％），在氫氣保護下經過1200～1400℃燒結，可以製造比較緻密的碳化矽半導瓷。這種瓷呈灰黑色,具有類似氧化鋅半導瓷的非線性伏安特性，也是製造過電壓保護器件的重要材料。碳化矽半導瓷的出現和套用都遠較氧化鋅半導瓷早，但由於其燒結條件較難，非線性特性不如氧化鋅半導瓷好，60年代後期以來在電工技術領域的套用不如氧化鋅半導瓷發展得快。

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