定義
碲化鍺晶體germanium telluride crysta周期表第W, 族元素化合物半導體。 離子性晶體。三角晶系面心結構, b .19g1}襯。熔點724 C' 。為直接帶隙半導體,室溫禁頻寬 0.23eV,屬窄能隙半導體, 辛穴遷移率7X10一3mZILV"s)} 度度 採用熔化再結品法製備。用作紅外光發射和探測材料。
定義
碲化鍺晶體germanium telluride crysta周期表第W, 族元素化合物半導體。 離子性晶體。三角晶系面心結構, b .19g1}襯。熔點724 C' 。為直接帶隙半導體,室溫禁頻寬 0.23eV,屬窄能隙半導體, 辛穴遷移率7X10一3mZILV"s)} 度度 採用熔化再結品法製備。用作紅外光發射和探測材料。