基本內容
MOS管漏極和源極之間的電壓差增大,實際反型溝道長度逐漸減小。
比如說減小量為△L,那么實際溝道長度就為L'=L-△L,L'實際上是Vds的函式,1/L'≈(1+△L/L)/L,假設△L/L和Vds之間是線性關係,△L/L=λVds,通常用λ表示溝道長度調製係數。溝道長度調製使Id/Vds的特性曲線出現非零斜率這樣就使得源極和漏極之間的電流源不理想。參數λ表示給定的Vds增量所引起的溝道長度的相對變化量,所以對於較長的溝道λ較小。
溝道長度調製效應,一般原因為MOS管漏極和源極之間的電壓差增大,實際反型溝道長度逐漸減小。
MOS管漏極和源極之間的電壓差增大,實際反型溝道長度逐漸減小。
比如說減小量為△L,那么實際溝道長度就為L'=L-△L,L'實際上是Vds的函式,1/L'≈(1+△L/L)/L,假設△L/L和Vds之間是線性關係,△L/L=λVds,通常用λ表示溝道長度調製係數。溝道長度調製使Id/Vds的特性曲線出現非零斜率這樣就使得源極和漏極之間的電流源不理想。參數λ表示給定的Vds增量所引起的溝道長度的相對變化量,所以對於較長的溝道λ較小。
漏極感應勢壘降低(DIBL,Drain a)使場效應電晶體的閾值電壓降低,影響到器件的整個性能; (DIBL的這種作用與溝道長度調製效應的一樣,都將導致...
(1)基本概念: (2)DIBL效應的影響:電流,λ = 溝道長度調製係數,通常與溝道長度L 成反比。由於...厄利電壓(Early voltage),記為VA。從厄利效應可以看出...(VC),集電極電流(IC)也會跟著上升。大信號模型在正向有源區中,厄利效應...
現象 大信號模型 小信號模型間流經溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化...拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道...
特點 工作原理 分類 作用 常見的場效應管飽和區輸出電流變化的效應,被稱為溝道長度調製效應。衡量溝道長度調製的大小...的程度。受到溝道長度調製效應影響的NMOS伏-安特性曲線如圖所示。 雙極性...的輸出特性曲線的參變數是基極電流IB。 衡量溝道長度調製的大小可以用厄萊...
概念 詳解曲線的參變數是基極電流IB。衡量溝道長度調製的大小可以用厄萊(Early...型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數值越大。NMOS一樣,導通的PMOS的工作...
產品介紹 開通過程 影響因素 轉移特性 襯底偏置效應效應Base transit time 基區渡越時間Base... modulation 基區寬度調製Bias 偏置Bilateral switch...Center 中心Ceramic 陶瓷(的)Channel 溝道Channel...
,柵寬度溝道類型,溝道長度和溝道厚度場氧化層,墊片氧化層...:先進的器件物理(消離化及重摻雜效應、亞閾值電流、高場遷移率、MOSC...(溝道熱電子注入、Fowler-Mordheim隧穿、帶間熱空穴產生和注入...
內容簡介 圖書目錄交流電阻,為此就需要採用長溝道MOSFET,並且要減小溝道長度調製效應...減小Evarly效應(基區寬度調製效應),即要儘量提高Early電壓。如果採用MOSFET,為了使其輸出電阻增大,就需要設法減小其溝道長度調製效...
簡介 結構 計算公式 電路 電路示例的使用要求。線陣CCD有單溝道和雙溝道之分,其光敏區是MOS電容或光敏二極體...較長的圖像上,會產生一個星空狀的固定噪聲圖案。這種效應是因為少數像素具有...比例變化的不一致性。8.時間常數表征探測器回響速度,也表示探測器回響的調製...
背景介紹 發展簡介 功能特性 性能參數 電荷轉移