企業簡介
深圳基本半導體有限公司分別與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和深圳清華大學研究院，共建“深圳第三代半導體研究院”和“第三代半導體材料與器件研發中心”。
公司整合海外技術與國內產業資源，對碳化矽器件的材料製備、晶片設計、製造工藝、封裝測試、驅動套用等方面進行研發。 覆蓋產業鏈各環節，產品可套用於新能源發電、新能源汽車、軌道交通、智慧型電網等領域。
工藝製造服務
Ø 碳化矽功率器件
各電流電壓等級的標準及高溫套用JBS二極體、平面、溝槽MOSFET，10kV以上PiN二極體，各項性能指標達到國際水平。
Ø 工藝製造服務
提供650V-10kV碳化矽二極體流片定製工藝服務，以及各類規格參數外延定製化服務，最大可達250μm。
技術優勢
3D SiC
提供完整的設計和工藝方案，能夠利用碳化矽的材料潛力，實現更高功率和更低損耗。 通過掩埋摻雜柵極，在保持碳化矽高電壓性能的同時減低器件表面電場，提高器件的可靠性。
外延技術
▶ 針對帶緩衝層或無緩衝器的厚外延層，低摻雜層厚度可高達250μm。 針對不同規格要求，基本半導體提供一套完整的碳化矽材料外延解決方案。
▶ 包括PN結和不同摻雜水平的多層結構。
▶ 在外延過程中嵌入或埋置指定結構和接觸層。
套用領域
電動汽車、軌道交通、光伏逆變器、UPS電源、智慧型電網。
產學研合作
2017年11月，基本半導體參與第三代半導體技術路線圖。
2017年3月，公司與深圳清華大學研究院共建“第三代半導體材料與器件研發中心”。
2018年3月，在深圳市委市政府的支持下，基本半導體和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、南方科技大學等單位發起共建深圳第三代半導體研究院。
