是在某種導電的基體上塗敷一層薄汞膜製成的電極。
作為基體的材料，應具備電化學惰性、對汞有良好的化學穩定性及導電性能良好等特點。
常用的基體材料為玻碳。玻碳汞膜電極的製造：可將玻碳薄片在稀汞鹽溶液中，電解鍍上一層汞膜；也可在試液中加入少量汞鹽，如Hg(NO3)2，在電解富集過程中，與被測物同時在玻碳上析出，形成汞膜和汞齊。後一種方法稱為同位鍍汞。汞膜的厚度可由溶液中汞鹽濃度和電解時間來控制。
汞膜電極既具有汞電極的特性，又具有較高的面積/體積比率。由於汞膜薄，電極面積大，攪拌速度可加快，因而電沉積效率高。汞膜電極溶出峰高而尖，分辨能力強。它的缺點是重現性較差；膜薄易使溶解的金屬達到過飽和，形成金屬間化合物，產生相互干擾；易受支持電解質組分的影響等。
