氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件

內容介紹

《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlCaN／GaN和InAlN／GaN異質結的生長和最佳化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和最佳化、製備工藝和性能、電熱退化分析，GaN增強型HEMT器件和積體電路，GaN MOS－HEMT器件，最後給出了該領域未來技術發展的幾個重要方向。《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。