林本堅

林本堅，男，出生在越南，在台灣上高中，並於1970年獲得美國俄亥俄州立大學電機工程博士。在IBM不斷提高成像技術，一乾就是22年。2000年，林本堅回到台灣，加入了台積電。2018獲未來科學大獎數學與計算機科學獎。

基本信息

• 中文名：林本堅
• 性別：男
• 出生地：越南
• 職業：科學家
  
• 畢業院校：美國俄亥俄州立大學
• 主要成就：2018獲未來科學大獎數學與計算機科學獎
  

人物成就

林本堅獲得2018未來科學大獎數學與計算機科學獎

林本堅一系列突破性的創新所開拓的浸潤式微影（也稱光刻）方法，革新了積體電路的製程，使先進半導體晶片的特徵尺寸能持續縮減為細微納米量級，在過去十五年以及可預見的未來，為建造最強大的計算和通信系統做出了關鍵貢獻。
傳統的“乾式”微影自1959年半導體工業界發明平面積成電路以來被持續使用了四十年，然而受限於基本光學衍射，在90年代後期，用該方法製造特徵尺寸小於65納米的晶片面臨無法逾越的瓶頸。林本堅預見昂貴的“乾式”微影技術將進入死角，建議使用浸潤式或“濕式”微影，該方法是一種新的微影工序，透過液體介質置換透鏡和晶圓表面之間的氣隙以提高光學解析精度。雖然原始的浸潤式概念在80年代曾提出過，但距離可實現的方法很遠。為使得全面表征及最佳化浸潤式微影系統，林本堅定義了並導出了關鍵性能指標和縮放公式，為極高解析度的三維浸潤式微影光學系統規範了必須遵行的縮放定律。他還研發出克服液體中微氣泡形成的方法，開拓了在熱力學極限下，經由水而衍射的微影工序。他的一系列發明在科學和工程上證實了“濕式”微影方法可用於最先進的IC製程，他的突破性發明和持久的技術引領促使全球半導體工業界改用“濕式”微影方法。在過去的十五年中浸潤式微影方法用最有成本效益的193nmArF為雷射源顯影，將IC技術節點從65nm循產業路線圖持續降至7nm，使得摩爾定律得以持續延伸了七代。根據IEEE近期的數據統計，浸潤式微影技術製造了至少世界上80%的電晶體。
自六十年前發明積體電路以來，半導體技術推動了人類歷史上最大的工業及社會化革命。在慶祝積體電路誕生六十周年之際，將未來科學大獎的數學和計算機科學獎-授予這位極具成就的科學家和發明家，半導體工業界的英雄，“浸潤式微影之父”不僅恰當且意義深遠。

獲獎記錄

2018年9月8日，第三屆“未來科學大獎”在北京揭曉，林本堅獲得“數學與計算機科學獎”。獎金為100萬美元獎金，使用方式不受限制。獲獎理由：開拓浸潤式微影系統方法，持續擴展納米級積體電路製造，將摩爾定律延伸多代。