OFET的歷史
有機場效應電晶體（OFET）最初由J.E. Lilienfeld提出，他於1930年獲得了他的想法的專利。他提出場效應電晶體表現為在源極和漏極之間具有導電溝道的電容器。柵電極上的施加電壓控制流過系統的電荷載流子的量。
第一個場效應電晶體是由Kahng和Atalla在1960年使用金屬氧化物半導體（MOSFET）設計和製造的。然而，近年來，材料和製造成本上升以及公眾對更環保的電子材料的興趣支持了有機電子產品的發展。1987年， Koezuka及其同事報導了第一種基於噻吩分子聚合物的有機場效應電晶體。噻吩聚合物是一種能夠傳導電荷的共軛聚合物，無需使用昂貴的金屬氧化物半導體。另外，已經顯示其他共軛聚合物具有半導體特性。OFET設計在過去幾十年中也有所改善。許多OFET都是基於薄膜電晶體（TFT）模型設計的，它允許器件在設計中使用導電性較差的材料。在過去幾年中對這些模型的改進已經實現了場效應遷移率和開關電流比。
有機場效應電晶體的半導體材料
用作有機場效應電晶體的有機半導體材料不但應具有穩定的電化學特性，還應是具有兀鍵的共扼體系，兀鍵重疊的軸向應該儘量與源漏電極之間的最短距離方向一致，從而有利於載流子的傳輸。這不僅限制了大多數有機材料，而且要求控制薄膜製備條件，使晶體的生長和取向達到最佳的形貌。按不同的化學和物理性質有機半導體材料主要分為3類:一是高分子聚合物，如烷基取代的聚唾吩;二是低聚物，如唾嗯齊聚物和唾吩齊聚物等;三是有機小分子化合物，如並苯類，C60，金屬酞警化合物，蔡，花，電荷轉移鹽等，幾種有機半導體材料的分子結構。有機場效應電晶體對所用有機半導體材料有著特殊的要求:(1)高遷移率，(2)低本徵電導率。高的遷移率是為了保證器件的開關速度，低的本徵電導率是為了儘可能地降低器件的漏電流，從而提高器件的開關比，增加器件的可靠性。有機半導體材料的設計和合成起著決定性的作用。
高分子化合物
有機場效應電晶體高分子薄膜可以使用塗膜、甩膜、LB膜等方法製備，方法簡單，成本低廉。但高分子一般難於提純並且材料的有序度較低，因此高分子材料的場效應遷移率一般都比較低。最近，通過改善高分子薄膜的有序性，使用區域有序的聚烷基唾吩製作的OFET的場效應遷移率可達到 但總的來說，由於高分子材料本身固有的特點，它在有機場效應電晶體中的套用受到很大的限制。
低聚物
與高分子聚合物相比，低聚物在用於OFET時有許多優點，低聚物可以通過調整子的結構和長度來控制載流子的傳輸。例如低聚唾吩系列化合物，可以通過改變唾吩鏈的長度和引人不同的官能團來改善薄膜的有序性，許多報導表明低聚唾吩場效應遷移率隨分子鏈長的增加而增大。可以通過修飾分子以改善分子的連線形式，如齊聚唾吩的不同烷基取代可以形成不同的結構。因此，低聚物在有機場效應電晶體中得到廣泛的套用。
有機小分子化合物
有機場效應電晶體
有機場效應電晶體
有機場效應電晶體
有機場效應電晶體遷移率較高的有機小分子化合物都具有一定的平面結構，它們能形成自組裝的多晶膜，當這些分子沉積在絕緣層上後，分子層互相平行並且垂直於絕緣層的表面，這種有序的分子膜的排列使的遷移率大大提高小分子有機物易於提純並且常用真空蒸鍍的方法來製備薄膜常用作有機半導體材料的小分子化合物有並五苯、酞青類化合物、花以及等並五苯是用於製備有機場效應電晶體的最有前途的材料之一，它是個苯環並列形成的稠環化合物，從年以來其半導體特性得到了廣泛的研究儘管大多數基於並五苯的都是由真空沉積膜組成的一，但也有報導把可溶性的前驅體分子用甩膜的方法製備,該器件有著較高的遷移率 ,這些電晶體在空氣中能穩定幾個月最近,在高真空下採用分子束沉積方法製備了多晶並五苯薄膜電晶體,室溫下其遷移率為 。 採用相同方式沉積的無定並五苯卻是絕緣體。用高純並五苯單晶製備的OFET，在室溫下其遷移率達 。然而與高分材料相比，並五苯比較脆，很難塗在其他材料上，只能用真空鍍膜的方式沉積，這一點是它的最大不足。酞著類化合物也是製備有機場效應電晶體的常用材料之一酞普是第一個報導的有機半導體它在400℃以下比較穩定，在真空中易蒸發形成均勻的薄膜酞背可以與不同的金屬配位形成金屬酞菁化合物cPs一OFET在1970年被報導以來得到廣泛的研究，其遷移率在 的範圍內。由Pcs製得的有機場效應電晶體大多數是p型的。我們曾研究了製備方法對氨基酞普銅場效應電晶體遷移率的影響，發現用LB膜技術製備的酞普銅有機場效應電晶體比蒸發製備的OFET的遷移率高很多 。
OFET的製備技術
有機場效應電晶體製備的關鍵步驟是有機半導體層的形成，器件特性以及性能的好壞在很大程度上取決於有機薄膜的結構和形貌有序的分子結構能使有機共扼分子的兀鍵在源漏電極方向上得以最大程度的重疊，從而提高載流子的傳輸因此探索新的有序分子形貌的有機場效應電晶體製備技術，對器件性能的改善起著關鍵性的作用。
真空技術
有機場效應電晶體真空技術是製備OFET薄膜最普遍採用的方法之一，它主要包括真空鍍膜濺射和有機分子束外延生長技術這種技術的優點是可以控制膜的純度和厚度，也可以通過控制沉積速度和基底的溫度來實現膜的高度有序許多有機半導體材料在溶劑中的豁度和溶解度很小，很難用溶液加工技術成膜濺射沉積膜附著力強，可用來製備OFET的電極和絕緣層並五苯是利用真空蒸發技術製備OFET的典型化合物，它的遷移率可達 。利用真空鍍膜技術製備的OFET的遷移率一般比溶液加工技術高一個數量級。總之，各種真空鍍膜技術製得的OFET性能比較好，遷移率都比溶液處理成膜技術高得多，但是儀器設備複雜，成本比較昂貴，所以在工業中套用比較困難。
溶液處理成膜技術
溶液處理成膜技術被認為是製備最有發展潛力的技術，它適用於可溶性的有機半導體材料結合大面積“印章”技術和印刷技術可以大大地降低成本，利用這種技術製備的的遷移率最高僅比真空技術小一個數量級常用的溶液處理成膜技術主要包括電化學沉積技術、甩膜技術、鑄膜技術、預聚物轉化技術、一技術、分子自組裝技術、印刷技術等。
