晶體襯度

在掃描電子顯微鏡中：聚焦電子束在晶體樣品表面掃描時，入射角θ連續變化，在θ角小於某組晶面的布拉格角θB的區域，入射電子受晶體原子的散射機會較多，如在樣品上方安裝電子檢測器，可接收到較強的背散射電子信號。 電子經過晶格間的通道深入到晶體內部才發生散射，使樣品上方檢測到的背散射電子信號較弱，尤其對於大的變形小、結構完善的單晶樣品，可獲得表層100&Arin g;的電子通道花樣圖，圖上襯度帶(亮帶)的方位就是相應衍射晶面的方位，亮帶的寬度取決於衍射晶面θB角的大小，襯度帶之間的夾角等於相應晶面之間的夾角，對其指數化，就可知道對於微區的晶體學取向及晶格完善性的資料。

在掃描電子顯微鏡中：聚焦電子束在晶體樣品表面掃描時，入射角θ連續變化，在θ角小於某組晶面的布拉格角θB的區域，入射電子受晶體原子的散射機會較多，如在樣品上方安裝電子檢測器，可接收到較強的背散射電子信號。而在θ>θB的區域，入射電子受晶體原子散射的機會較少。電子經過晶格間的通道深入到晶體內部才發生散射，使樣品上方檢測到的背散射電子信號較弱，尤其對於大的變形小、結構完善的單晶樣品，可獲得表層100Å的電子通道花樣圖，圖上襯度帶(亮帶)的方位就是相應衍射晶面的方位，亮帶的寬度取決於衍射晶面θB角的大小，襯度帶之間的夾角等於相應晶面之間的夾角，對其指數化，就可知道對於微區的晶體學取向及晶格完善性的資料。