晶體矽光電池

晶體矽光電池有單晶矽與多晶矽兩大類，用P型（或n型）矽襯底，通過磷（或硼）擴散形成Pn結而製作成的，生產技術成熟，是光伏市場上的主導產品。採用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、最佳化背電極及接觸電極等技術，提高材料中的載流子收集效率，最佳化抗反射膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉換效率有較大提高。單晶矽光電池面積有限，目前比較大的為Φ10至20cm的圓片，年產能力46MW／a。目前主要課題是繼續擴大產業規模，開發帶狀矽光電池技術，提高材料利用率。國際公認最高效率在AM1.5條件下為24％，空間用高質量的效率在AM0條件約為13.5?18％，地面用大量生產的在AM1條件下多在11?18％之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶矽錠代替單晶矽，可降低成本，但效率較低。最佳化正背電極的銀漿和鋁漿絲網印刷，切磨拋工藝，千方百計進一步降成本，提高效率，大晶粒多晶矽光電池的轉換效率最高達18.6％。