方健[電子科技大學教授]

方健 ,1969年10月出生。主要從事新型功率器件和功率積體電路,專用積體電路的研發工作。

基本信息

人物經歷

教育背景

2000.09-2005.05 電子科技大學,微電子與固體電子專業,博士學位。

1991.09-1994.03 電子科技大學,微電子與固體電子專業,碩士學位。

1987.09-1991.06 四川大學,物理專業,學士學位。

工作履歷

2011.06- 今 微電子與固體電子學院 ,教授。

2001.06-2011.06 微電子與固體電子學院 ,副教授。

1994.03-2001.06 微電子與固體電子學院 ,講師。

研究方向

高壓功率積體電路

研究可集成高壓功率器件新結構,先進高壓BCD工藝,高低壓隔離技術,高壓電路拓撲結構研究等。

高密度功率積體電路

研究可集成高功率密度器件,先進高功率密度BCD工藝,高功率密度電路拓撲結構及控制理論研究等。

新型高壓功率器件

研究包含IGBT,Cool在內的新型功率器件, 研究高速電導調製器件結構及機理,器件可靠性研究等。

研究條件:

所屬的PITL研究團隊擁有TCAD設計平台(科803室),擁有Cadence, Medici,Silvaco,ISE等器件、工藝、電路仿真軟體。建有功積體電路測試分析實驗室(科903室),擁有功率器件及電路測試分析設備50餘套台,總價值1500餘萬元。可完成器件及電路的穩態和瞬態電學參數測試與分析,可靠性參數測試與分析,晶片級測試及晶片分析等工作。

主要貢獻

先後負責、參加和完成了"九五","十五"軍事電子預研項目等十餘項重大的科研項目的工作,其中已鑑定的項目共五項。其中國防科技預研基金項目"具有非準靜態電漿輸運的電導調製功率器件"和國防行業基金項目“電導調製功率器件的非準靜態輸運特性研究”,於2000年獲國防科技進步二等獎(排名第二)。目前參加的在研項目有“十五” 國防科技預研項目兩項,863項目一項重點試驗室基金項目三項,自然科學基金項目一項,其他項目近十項。在國內外核心刊物和國際學術會議上發表文章近二十餘篇,多篇被SCI、Ei收錄。

獲獎記錄

由於在工作中取得的成績,榮獲“四川省在工作中有突出貢獻的博士、碩士畢業生”稱號。

2010年,國家科技進步二等獎。

2009年,四川省科技進步一等獎。

2000年,國防科技二等獎。

2000年,四川省在工作有特殊貢獻的碩博士畢業生稱號。

先後5次獲得校科技成果獎,校教學成果獎。

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