概述
快閃記憶體（flash memory，有時稱為flash RAM）是一種不斷供電的非易失性存儲器，它能在稱為塊（block）的存儲單位中進行刪除和改編。快閃記憶體是電可擦寫可程式唯讀存儲器（EEPROM）的變體，EEPROM與快閃記憶體不同的是，它在位元組層面上進行刪除和重寫，這樣EEPROM就比快閃記憶體的更新速度慢。通常用快閃記憶體來保存控制代碼，比如在個人電腦中的基本輸入輸出系統（BIOS）。當需要改變（重寫）輸入輸出系統時，快閃記憶體可以以塊（而不是位元組）的大小輸寫，這樣快閃記憶體就更容易更新。但另一方面，快閃記憶體不像隨機存取存儲器（RAM）一樣有用，因為隨即存取存儲器可以在位元組（而不是塊）層面上設定地址。
快閃記憶體（flash memory）這個名字是因為微晶片被組織來使存儲單元的一部分能在一瞬間（或閃電般的）被刪除得出的。這種刪除是通過隧道效應（Fowler-Nordheim tunneling）進行的，在隧道效應中電子刺破薄薄的一層絕緣材料來從每個存儲單元的浮柵中移動電荷。Intel提供了一種形式的快閃記憶體，它在每個存儲單元保存2比特（而不是1比特），這樣能夠使存儲量翻倍而無需增加相應的價格。
快閃記憶體被用於數碼手機、數位照相機、區域網路交換機、筆記本電腦的PC卡、嵌入式控制器等設備中。
背景
存儲瓶頸的具體位置通常決定了在什麼地方部署快閃記憶體存儲技術（例如在主機端或是磁碟陣列端），但存儲瓶頸和具體的使用案例關係並不大，但卻和現有的存儲基礎架構戚戚相關。不管怎樣，部署位置的判斷可以影響到所使用的快閃記憶體存儲類型（固態存儲驅動器或是快閃記憶體插卡，如PCIe的插卡），以及將其部署為快取或單獨的存儲層。快閃記憶體存儲的部署類型又決定了所需的容量（分層模式會比快閃記憶體模式需要更多容量），而成本和預算又會對容量產生限制。
