長期從事半導體物理與器件物理,半導體光電子學,MOCVD生長技術的研究。自1993年至今,一直從事III-V氮化物寬禁帶半導體材料的製備、器件的研製和物理性能的研究。申請國家發明專利20多項,發表論文100多篇。作為會議主席,在1998年和2001年兩次在中國主持召開了國際III-V氮化物半導體專題研討會,多次作為(氮化物半導體相關的)重大國際會議委員會委員,參加國際學術交流。作為第一發明人,曾獲得國家發明四等獎,國家教委科技進步二等獎等獎勵。先後在美國,日本,澳大利亞,比利時開展合作研究。“九五”期間,作為國家“863”計畫信息光電子主題專家組成員,“十五”期間,作為國家半導體照明工程專家組成員,中國LED行業協會顧問專家,國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事,努力為我國的LED照明光源的革命做出貢獻。
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