基本內容
存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲暫存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。記憶體的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒(ns)度量，換算關係1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在記憶體條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存
存儲周期存儲周期 ，通常用訪問周期T(又稱存取周期等)表示,該概念與存取時間是不同的。
存儲系統的存儲周期與命中率H的關係非常大。
命中率:可以簡單地定義為在M1存儲器中訪問到的機率，它一般用模擬實驗的方法得到。選擇一組有代表性的程式，在程式執行過程中分別統計對M1存儲器的訪問次數N1和對M2存儲器的訪問次數N2，然後代入下面的(3-1)關係式計算。
·······(3-1)
整個存儲系統的訪問周期可以用M1和M2兩個存儲器的訪問周期T1，T2和命中率H來表示:
T=H·T1+(1-H)·T2 (3-2)
當命中率H→1時，T→T1，即存儲系統的訪問周期T接近於速度比較快的M1存儲器的訪問周期T1。
