出版信息
ISBN：9787502457624
定價：69.00元
作者：韓至成、朱興發、劉林 等編著
出版社：冶金工業出版社
出版時間：2011年10月 版次：1-1開本：B5裝幀：暫無字數：暫無 頁數：328頁
內容簡介
太陽能級矽材提純技術與裝備概論，矽的特性以及對太陽能級矽雜質的要求，太陽能級矽化學法與冶金法提純技術的簡介，生產太陽能級矽原料要求及其處理，太陽能級矽冶金製備的物理、化學概論，太陽能級矽冶金提純主設備及輔助裝置，單晶矽與多晶矽鑄錠製備工藝技術概述，定向凝固在太陽能級矽生產中的套用，太陽能級矽檢測及其裝置。本書反映了作者近年來的科研成果，並歸納總結了國內外有關太陽能級矽提純技術及裝備的研究與套用成果。
目錄
1 太陽能級矽材提純技術與裝備概論
1.1太陽能光伏技術的發展概況
1.1.1何謂太陽能光伏技術（Photovoltaic Technology）
1.1.2太陽能的基本物理參數及其它有關參數
1.1.3太陽能電池發電的基本原理
1.1.4太陽能電池的種類
1.1.5太陽能電池能源回收年限
1.1.6太陽能電池的轉換效率
1.1.7太陽能的優缺點
1.1.8我國太陽能的資源的分布
1.1.9全於太陽能產業現狀和發展前景
1.2多（單）晶矽太陽能電池製作流程簡介
1.3太陽能級高純多晶矽製備工業發展概況
2 矽的性質與太陽能級矽雜質標準
2.1矽的特點及其物理化學性質
2.2.1 工業矽與矽的特點
2.2.2矽的物理性質
2.2.3矽的化學性質
2.2.4 冶金級矽的雜質特性分析
2.2.5 矽的用途
2.2高純矽材的等級與太陽能級矽雜質要求
2.2.1高純度矽材按使用等級分類
2.2.2太陽能級多晶矽純度的標準及計量單位
2.2.3太陽能級多晶矽中雜質的標準及要求
3 化學法及冶金法太陽能矽提純技術的簡介
3.1化學法
3.1.1化學法基本概念
3.1.2 化學法典型工藝介紹
3.2冶金法太陽能矽提純技術的基本特點
3.2.1冶金法基本概念
3.2.2 冶金法典型製備工藝
3.2.3 冶金法製備新工藝
3.3冶金法和化學法工藝對比
3.3.1冶金法和化學法的製備原理
3.3.2冶金法與化學法的工藝對比分析
4 太陽能級矽原料要求及其處理
4.1我國部分地區優質矽資源的分布概況
4.2工業矽（金屬矽）的生產流程及其工藝特點
4.3國內外工業矽的企業標準與國家有關標準
4.3.1我國國家工業矽的國家標準擬訂過程
4.3.2我國化學工業矽的企業標準
4.3.3國外工業矽的企業及國家標準
4.4工業矽的處理技術及研究
4.4.1工業矽的二次精煉法
4.4.2濕法提純冶金級矽的研究與套用[5]
5 太陽能級矽冶金提純的物理化學基礎概論
引言：
5.1 造渣氧化精煉理論基礎
5.1.1 造渣劑及其物理化學性質
5.1.2 造渣理論研究
5.1.3 造渣氧化精煉的理論模型
5.2 酸洗提純理論基礎
5.2.1 酸洗原理
5.2.2 酸洗極限
5.3 真空熔煉理論基礎
5.3.1 真空熔煉熱力學
5.3.2 真空熔煉動力學
5.3.3電磁感應精煉動力學分析
5.4 定向凝固理論基礎
5.4.1 定向凝固基本原理
5.4.2 定向凝固過程傳熱及工藝參數
5.4.3 定向凝固過程中溶質的分凝
5.5區域熔煉理論基礎
5.5.1 區域熔煉的原理
5.5.2 熔區的穩定性
6 太陽能級矽冶金提純主體及輔助設備
6.1 多功能中頻爐
6.2 電子束熔煉爐
6.2.1 電子束的發展與套用
6.2.2 電子束精煉的原理與特點
6.2.3 矽在電子束作用下的熔融
6.2.4 電子束熔煉爐
6.2.5 電子束熔煉方式與電子槍
6.2.6 電子束熔煉注意事項與存在的問題
6.3 電漿熔煉爐
6.3.1 電漿的性質及其發展套用
6.3.2 電漿精煉的原理與特點
6.3.3 矽在電漿作用下的熔融
6.3.4 電漿熔煉爐
6.4 多晶矽鑄錠爐
6.4.1鑄造多晶矽生產工藝流程與鑄錠爐結構
6.4.2 鑄錠爐技術發展現狀及存在問題
6.5 太陽能級矽提純輔助設備
6.5.1熔融工業矽所用的坩堝及其特點
6.5.2 氮化矽塗層
7 單晶矽與多晶矽鑄錠製備工藝技術概述
7.1 單晶矽錠生產技術
7.1.1直拉法（Czochralski Method）
7.1.2區熔法（FloatZone Method）
7.2 多晶矽工藝技術
7.2.1塊狀鑄造多晶矽生長技術
7.2.2帶狀鑄造多晶矽生長技術
8 定向凝固在太陽能矽生產技術中的套用
8.1 定向凝固在製備太陽能級多晶矽中的作用及特點
8.2 太陽能級多晶矽定向凝固製備方法與工藝
8.2.1澆鑄法
8.2.2布里奇曼法
8.2.3熱交換法
8.2.4電磁鑄造法
8.2.5定向凝固系統法
8.3 太陽能級多晶矽定向凝固的研究進展
8.3.1太陽電池用定向凝固多晶矽和直拉單晶矽的比較
8.3.2太陽電池用多晶矽定向凝固研究及進展
8.3.3定向凝固多晶矽生長與控制的數值模擬研究進展
8.4 太陽能級多晶矽的定向凝固特性
8.4.1 太陽能級多晶矽的腐蝕原理與形貌
8.4.2 太陽能級多晶矽柱狀晶的生長條件及組織特徵
8.4.3 定向凝固過程中多晶矽的凝固界面形態
8.4.4 定向凝固工藝參數對多晶矽凝固組織的影響
8.4.5 太陽能多晶矽的凝固缺陷與控制
8.5定向凝固過程矽晶體生長機制的研究
8.5.1半導體材料中孿晶相關的枝晶生長
8.5.2熔體生長過程中平行孿晶的形成機制
8.5.3矽小平面枝晶的生長機制
8.6 定向凝固太陽能級矽雜質的去除
8.6.1 多晶矽中的主要雜質
8.6.2 雜質去除的基本原理
8.6.3 金屬雜質的去除
8.6.4 磷、硼雜質的去除
8.6.5 定向凝固工藝參數對雜質去除的影響
8.7 太陽能矽定向凝固製備技術存在的問題及改進方向
9 太陽能級矽檢測及其裝置
9.1雜質含量的檢測與裝置
9.1.1 金屬雜質的檢測與裝置
9.1.2 非金屬雜質的檢測與裝置
9.2夾雜物與缺陷的檢測與裝置
9.2.1掃描紅外電鏡（SIRM）
9.2.2 微波光電導衰減儀（μ-PCD）
9.2.3 電子束誘生電流技術（EBIC）
9.3晶粒及組織狀態的檢測與裝置
9.4 單晶矽片的檢測與裝置
9.4.1矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測定（非接觸渦流法）
9.4.2矽片厚度和總厚度變化測試方法
9.4.3 矽片彎曲度測試方法
9.4.4 矽片抗彎強度測試方法
9.4.5 矽拋光片表面質量目測檢驗方法
9.4.6 矽片直徑測量方法千分尺法
9.5 溫度測量
9.5.1 熱電偶測溫
9.5.2 紅外測溫測溫
後記
參考文獻
