增層

二氧化矽(Silicon 氮化矽(Silicon (Silicon

增層是在晶圓表面形成薄膜的加工工藝。分析圖4.4的簡單MOS電晶體可看出在晶圓表面生成了許多的薄膜。這些薄膜可以是絕緣體、半導體或導體。它們是由不同的材料組成，使用多種工藝生長或澱積的。
這些主要的工藝技術是生長二氧化矽膜和澱積不同種材料的薄膜。通用的澱積技術是化學汽相澱積（CVD） 、蒸發和濺射。圖4.6列出了常見的薄膜材料和增層工藝。其中每項的具體情況在本書的工藝章節各有闡述。各種薄膜在器件結構內的功用在第16章進行解釋。
層別(Layers) 熱氧化工藝(Thermal Oxidation) 化學汽相澱積工藝(Chemical Vapor Deposition) 蒸發工藝 (Evaporation) 濺射工藝(Sputtering)
絕緣層 (Insulators) 二氧化矽(Silicon Deioxide) 二氧化矽(Silicon Dioxide) 氮化矽(Silicon Nitrides) 二氧化矽 (Silicon Dioxide) 一氧化矽(Silicon Monoxide)
半導體層 (semiconductors) 外延單晶矽 (Epitaxial Silicon) 多晶矽 (Poly Silicon)
導體層 (conductors) 鋁 (Aluminum) 鋁/矽合金(Aluminum/Silicon) 鋁銅合金 (Aluminum/copper) 鎳鉻鐵合金 (Nichrome) 黃金 (Gold) 鎢 (Tungsten) 鈦 (Titanium) 鉬 (molybdenum) 鋁/矽合金(Aluminum/Silicon) 鋁銅合金 (Aluminum/Copper)
圖 4.6 薄層分類/工藝與材料的對照表