內容簡介
本書是介紹半導體器件工作原理的經典入門教材，其主要內容包括固體物理基礎和半導體器件物理兩大部分，同時也涵蓋半導體晶體結構與材料生長技術、積體電路原理與製造工藝以及光電子器件與高頻大功率器件等相關內容。
本書注重基本物理概念，強調理論聯繫實際，可作為高等院校電子信息類專業“固態器件與電路”專業基礎課的教材，也可供相關領域的研究人員和技術人員參考。
作者簡介
Ben G.Streetman，IEEEE會士，美國國家工程院院士，美國藝術與科學院院士，美國電化學學會(ECS)會士。現任美國德克薩斯大學奧斯汀分校工學院院長和該校電機工程與計算機工程講座教授，也是該校微電子研究中心的創始人和第一任主任（1984年～1996年）。Streetman教授的教學領域和研究興趣主要涉及半導體材料與半導體器件。
圖書目錄
第1章 晶體性質和半導體生長
1.1 半導體材料
1.2 晶格
1.2.1 周期結構
1.2.2 立方晶格
1.2.3 晶面與晶向
1.2.4 金剛石晶格
1.3 塊狀晶體生長
1.3.1 製備原材料
1.3.2 單晶的生長
1.3.3 圓片
1.3.4 摻雜
1.4 外延生長
1.4.1 外延生長的晶格匹配
1.4.2 汽相外延
1.4.3 分子束外延
小結
習題
參考讀物
自我測驗
第2章 原子和電子
2.1 物理模型介紹
2.2 重要實驗
2.2.1 光電效應
2.2.2 原子光譜
2.3 玻爾模型
2.4 量子力學
2.4.1 幾率和不確定性原理
2.4.2 薛丁格波動方程
2.4.3 勢阱問題
2.4.4 隧穿
2.5 原子結構和元素周期表
2.5.1 氫原子
2.5.2 元素周期表
小結
習題
參考讀物
自我測驗
第3章 半導體能帶和載流子
3.1 固體的結合力和能帶
3.1.1 固體的結合力
3.1.2 能帶
3.1.3 金屬、半導體和絕緣體
3.1.4 直接禁帶半導體和間接禁帶半導體
3.1.5 能帶結構隨合金組分的變化
3.2 半導體中的載流子
3.2.1 電子和空穴
3.2.2 有效質量
3.2.3 本徵材料
3.2.4 非本徵材料
3.2.5 量子阱中的電子和空穴
3.3 載流子濃度
3.3.1 費米能級
3.3.2 平衡態下電子和空穴的濃度
3.3.3 載流子濃度對溫度的依賴關係
3.3.4 雜質補償和空間電荷的中性
3.4 載流子在電場和磁場中的運動
3.4.1 電導率和遷移率
3.4.2 漂移和電阻
3.4.3 溫度和摻雜對遷移率的影響
3.4.4 高電場效應
3.4.5 霍爾效應
3.5 平衡態費米能級的不變性
小結
習題
參考讀物
自我測驗
第4章 半導體中的過剩載流子
4.1 光吸收
4.2 發光機理
4.2.1 光致發光
4.2.2 電致發光
4.3 載流子壽命和光導電性
4.3.1 電子和空穴的直接複合
4.3.2 間接複合與陷阱
4.3.3 穩態載流子產生；準費米能級
4.3.4 光導器件
4.4 載流子的擴散
4.4.1 擴散過程
4.4.2 載流子的擴散和漂移，內建電場
4.4.3 擴散和複合，連續性方程
4.4.4 穩態載流子注入和擴散長度
4.4.5 海恩斯－肖克萊實驗
4.4.6 準費米能級的梯度
小結
習題
參考讀物
自我測驗
第5章 PN結
第6章 場效應電晶體
第7章 雙極結型電晶體
第8章 光電器件
第9章 積體電路
第10章 高頻和大功率器件
附錄A 常用符號定義
附錄B 物理常數以及轉換係數
附錄C 半導體材料的特性
附錄D 導帶狀態密度的推導
附錄E 費米－迪拉克統計的推導
附錄F 在Si（100）上生長的乾、濕熱氧化層厚度隨時間、溫度變化的關係
附錄G 雜質在Si中的固溶度
附錄H Si和SiO2中雜質的擴散係數
附錄I Si中注入深度和範圍與入射能量之間的關係
自我測驗題部分答案
索引
