單粒子翻轉SEU

當具有足夠轉移能量的帶電粒子擊中晶片時，就可能發生SEE現象（單粒子效應），進而引發系統故障。 根據帶電粒子的能量大小和擊中器件的位置SEE有可能產生損壞或瞬時效應。 瞬時效應的主要結果是存儲單元中的位翻轉，亦稱為單粒子翻轉（SEU）。

單粒子翻轉SEU是FPGA中的一種容錯技術，具有很大的研究研究空間。
當具有足夠轉移能量的帶電粒子擊中晶片時，就可能發生SEE現象（單粒子效應），進而引發系統故障。包括信息丟失和功能失效。根據帶電粒子的能量大小和擊中器件的位置SEE有可能產生損壞或瞬時效應。瞬時效應的主要結果是存儲單元中的位翻轉，亦稱為單粒子翻轉（SEU）。