主要分類
半導體電池主要有單晶矽電池和單晶砷化鎵電池等。
單晶矽電池
單晶矽太陽電池的基本材料為純度達0.999999、電阻率在10歐·厘米以上的P型單晶矽。包括p-n結、電極和減反射膜等部分。受光照面加透光蓋片（如石英或滲鈰玻璃）保護，防止電池受外層空間范愛倫帶內高能電子和質子的輻射損傷。單體電池尺寸從2×2厘米至5.9×5.9厘米，輸出功率為數十至數百毫瓦，它的理論光電轉換效率為20% ，實際已達到11.2%～14.8%。
單晶砷化鎵電池
單晶砷化鎵太陽電池的理論光電轉換效率為24%，實際達到18%。它能在高溫、高光強下工作，耐輻射損傷能力高於矽太陽電池，但鎵的產量較少，成本高。級聯p-n 結太陽電池是在一塊襯底上疊加多個不同帶隙材料的 p-n結，帶隙大的頂結靠光照面，吸收短波光，往下帶隙依次減小，吸收的光波波長逐漸增長，這種電池可以充分利用日光,光電轉換效率大大提高。為了提高單體太陽電池的性能，可以採取淺結、密柵、背電場、背反射體、絨面和多層膜等措施。增大單體電池面積有利於減少太陽電池陣的焊接點，提高可靠性。
基本特點
半導體電池，用半導體矽﹑硒等材料將太陽的光能變成電能的器件。具有可靠性高﹐壽命長﹐轉換效率高等優點﹐可做人造衛星﹑航標燈﹑電晶體收音機等的電源。
