半導體光電陰極

內容介紹《半導體光電陰極》以半導體光電陰極近50年來的發展為基礎,對歷史進行了粗略的回顧。 同時力求內容反映當今半導體光電陰極的發展趨勢和前沿動態。 書中全面介紹了以GaAs—NEA光電陰極為代表的,從紫外到近紅外敏感的各種NEA光電陰極的原理和特點,與此同時對各種場助半導體光電陰極,包括3—5族異質結場助光電陰極、Si錐場發射光電陰極以及近年來出現的碳納米管光電陰極等也作了較詳細的介紹。

內容介紹

《半導體光電陰極》以半導體光電陰極近50年來的發展為基礎,對歷史進行了粗略的回顧。同時力求內容反映當今半導體光電陰極的發展趨勢和前沿動態。書中全面介紹了以GaAs—NEA光電陰極為代表的,從紫外到近紅外敏感的各種NEA光電陰極的原理和特點,與此同時對各種場助半導體光電陰極,包括3—5族異質結場助光電陰極、Si錐場發射光電陰極以及近年來出現的碳納米管光電陰極等也作了較詳細的介紹。在製作技術方面,融合了若干國外文獻和專利的內容。

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