相關詞條
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勢壘注入渡越時間二極體
勢壘注入渡越時間二極體（BARITT diode，Barrier Injection Transit Time Diode）與IMPATT（雪崩注入渡越...
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勢壘電容
在積累空間電荷的勢壘區，當PN結外加電壓變化時，引起積累在勢壘區的空間電荷的變化，即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少，這種現象與電容器的充、放電過程...
概述 PN結勢壘電容的測量 套用 -
小注入
小注入（英語：low level injection）是形成PN結的一種工作條件。
簡介 PN結定義 PN結的形成 性質 -
溝道熱電子注入效應
溝道熱電子注入效應，也稱為溝道雪崩注入效應，是溝道中部分高能量的熱電子往柵氧化層注入的一種現象。
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浮柵雪崩注入MOS器件
"浮柵雪崩注入MOS器件（Floatin MOS，FAMOS）：這是一種浮置柵結構的存儲器件。 (因浮柵中的電子在吸收光子後可越過勢壘進入SiO2層
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功夫百科全書
《功夫百科全書》 序篇武俠小說縱橫天下，即使是魔幻，歷史題材的小說中也不乏功夫元素混雜其中，點穴，氣功，拳腳功夫，成就...
武術篇 武術的起源與發展 武術篇 馬步 武術篇 沙袋 武術篇 打坐 武術篇 吐納 -
轉移電子效應
從異質結構注入到有源層時的電流。這時隧穿電流被AIAS勢壘限制得很低...電子注入機構，如肖特基勢壘或漸變能隙異質結構等來注入高能熱電子、減小加速...於兩層GaAs間的一層AIAs勢壘，其能帶結構如圖1所示。圖中實線畫出了Γ谷...
產生轉移電子效應所必須滿足的條件 異質谷間轉移電子效應的實驗研究 轉移電子效應的重要套用 -
諧振隧穿二極體
diod（RTD）： 諧振隧穿二極體的工作原理和特性這是由兩個量子勢壘夾有... (勢壘不透明)。當運動電子的能量E與阱中的某量子化能級En一致時, 則將有很大的隧穿幾率，即這時雙勢壘完全透明(透射率可達100%，即共振隧穿...
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pn結電容
簡介勢壘電容PN結交界處存在勢壘區。結兩端電壓變化引起積累在此區域...結電容算法與平板電容相似，只是寬度會隨電壓變化。擴散電容PN結勢壘電容主要...偏置時，P區中的電子，N區中的空穴，會伴著遠離勢壘區，數量逐漸減少。即離結...
簡介 作用 歷史 原理 製造工藝 -
二極體
擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度...
特性與套用 工作原理 類型 導電特性 參數概念
