人物簡介
劉喆，女，博士，研究員，博士生導師。
1978年11月生，2006年於中國科學院半導體研究所獲得材料物理與化學博士學位，之後在中科院半導體所半導體照明研發中心工作。從事氮化物材料生長和器件研製工作10年，熟悉MOCVD和HVPE等設備生長氮化物材料，相關材料分析表征以及LEDs結構設計。
科研成果
主要研究工作包括大失配體系材料生長和LEDs結構設計，新型氮化物材料生長和器件研製、高效綠光LEDs及相關光電材料研究。“十二五”作為半導體所方面負責人承擔了科技部的“半導體照明產品檢測與質量認證平台建設”項目，“十五”、“十一五”期間作為骨幹參加了多個氮化物相關的項目研究，包括國家863“Si基GaN材料研究”、“十五”半導體照明國家科技攻關計畫、國家863重大項目半導體照明等項目等。長期負責照明中心的國際合作交流工作，分別與美國Sandia國家實驗室、阿拉莫斯國家實驗室、日本名古屋工業大學、韓國的光州研究院、德國夫朗和費實驗室及荷蘭代爾夫特理工大學等建立了密切的合作關係，並共同申請了多個國際合作研究課題。多次參加國際學術會議，在國內外雜誌上發表論文三十餘篇，申請專利二十多項。2012年獲得北京市科學技術獎（技術發明類）一等獎，完成中科院成果鑑定3項，2012年獲得中國產學研合作創新成果獎，2013年完成專著一部，由Springer出版社。
研究領域
1. 新型氮化物材料生長和器件研製；
2. 氮化物大失配體系材料生長和LEDs結構設計；
3. 高效綠光LEDs及相關光電材料研究。
完成項目
1. 《半導體照明產品檢測與質量認證平台建設》 科技部支撐計畫項目(項目負責人)
2. 《紫外LED用AlGaN材料生長研究》 科技部863重大項目
3. 《HVPE法製備GaN同質襯底》科技部863重大項目
4. 《半導體照明重大科學前沿研究科技部》科技部重大國際合作項目
5. 《高效氮化物LED異質結構設計與量子效率提升研究》科技部973項目
6. 《Si基GaN材料研究》科技部863項目
7. “Scientific cooperation between China and the Netherlands China Exchange Programme”荷蘭皇家藝術和科學院資助
代表論文
1. Jinmin Li, Junxi Wang, Zhe Liu, “Thermal Management for LED Application”
2. Zhe LIU, Xiaoliang WANG，Junxi WANG, Guoxin HU, Lunchun GUO, Jianping LI, Jinmin LI, Yiping ZENG，Effects of buffer layers on the stress and morphology of GaN epilayer grown on Si substrate by MOCVD
3. Zhe Liu, Ning Zhang, Peng Dong, Jinmin Li, Junxi WangModification of polarization fields in the multiple quantum wells of InGaN-based green light-emitting diodes via Mg-doping in the barriers
4. Zhe LIU, Xiaoliang WANG，Junxi WANG, Guoxin HU, Lunchun GUO, Jianping LI, Jinmin LI, Yiping ZENG，Effects of buffer layers on the stress and morphology of GaN epilayer grown on Si substrate by MOCVD, POSTER PRESENTATION for ICMOVPE-XIII
5. Zhe LIU, Junxi WANG, Xiaoliang WANG, Guoxin HU, Lunchun GUO, Hongxin LIU, Jianping LI, Jinmin LI , Yiping ZENG， Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template, ORAL REPORT on The 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
6. Ning Zhang, Zhe Liu, Tongbo Wei, Lian Zhang, Xuecheng Wei et al. Effect of the graded electron blocking layer on the emission properties of GaN-based green light-emitting diodes
7.ZHANG Ning, LIU Zhe, SI Zhao et al. On efficiency droop and modification of polarization fields of InGaN-based green light-emitting diodes via Mg-doping in the barriers
8.Ning Zhang, Zhe Liu, Tongbo Wei, Lian Zhang et al., 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
