低介電常數物質

為了解決這個問題，微電子工業將套用低介電常數材料代替傳統的二氧化矽絕緣材料。 由於空氣有極低的介電常數（k=1），所以在一般的電介質中加入空氣泡可以極大的降低介電常數。 但是由於低介電常數物質還需要經受苛刻的工業加工過程，它的強度，韌性，耐熱性，耐酸性都要有嚴格的限制。

簡介

低介電常數物質（low-k）顧名思義，即介電常數（k）比較低（低於二氧化矽，k=3.9）的電介質，主要套用在微電子領域。

概述

在電子技術不斷發展的今天，微電子工業一直以來仍舊基本保持著摩爾定律的正確性。為了提高積體電路的性能和速度，越來越多，越來越小的電晶體被集成到晶片中。隨著這種小型化的趨勢，晶片中不同層導線之間的距離也隨之減小。用作導線之間絕緣層的二氧化矽（SiO2）由於厚度的不斷縮小使得自身電容增大。這種電荷的積聚將干擾信號傳遞，降低電路的可靠性，並且限制了頻率的進一步提高。為了解決這個問題，微電子工業將套用低介電常數材料代替傳統的二氧化矽絕緣材料。

製備方法

由於空氣有極低的介電常數（k=1），所以在一般的電介質中加入空氣泡可以極大的降低介電常數。目前生產低介電常數物質所用的方法即是用高分子聚合物(k~2.5)作為基底加入納米尺度的空氣泡，可以將k降低到2.0甚至以下。但是由於低介電常數物質還需要經受苛刻的工業加工過程，它的強度，韌性，耐熱性，耐酸性都要有嚴格的限制。