亞閾值漏電流（英語：subthresholdleakage），是金屬氧化物半導體場效應管柵極電壓低於電晶體線性導通所需的閾值電壓、處於截止區（或稱亞閾值狀態）時，源極和漏極之間的微量漏電流。[1]
相關詞條
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亞閾值擺幅
亞閾值擺幅是衡量電晶體開啟與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量，又稱為S因子，S越小意味著開啟關斷速率ON/...
簡介 算法 影響因素 -
亞閾值電流
亞閾值電流是在MOS管理想的電流－電壓特性中，當Vgs小於 Vt 時，漏極電流 Id 為0。
概述 定義 亞閾值擺幅 金屬氧化物半導體場效應管 閾值電壓 -
電晶體亞閾狀態
電晶體亞閾狀態是MOSFET的一種重要工作狀態（工作模式），又稱為MOSFET的亞閾值區（Subthreshold region）。 這是MOSFET的...
電流產生機理 亞閾狀態特性 -
亞閾工作狀態
這是MOSFET的一種工作狀態（工作模式）。 一般，MOSFET是在柵極電壓大於閾值電壓的情況下工作的，即是在出現表面溝道（反型層）的條件下來工作的，也...
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隧穿結
的區域,漏電流依然受熱發射限制,載流子的熱分布導致很差的亞閾值特性。 [2] FN隧穿電晶體與SBFET有一樣的困擾。截止電流受熱發射限制,亞閾值...電流,下面將會看到亞閾值特性仍然不能突破60mV/dec的限制。 [2...
2帶帶隧穿 -
納米MOSFET
的區別在於遠離柵電極控制的源漏之間的電流通道被消除,所以柵電壓可以有效地...的2003工TRS,70nm技術時代就需要高k材料,它將主要套用於要求柵極漏電流...的使用可以阻止電介質越變越薄,以致漏電流大得無法接受的趨勢。但是,因為HfO...
1背景介紹 2概述 -
金屬氧化物半導體場效電晶體
漏極的載流子數量與 |VGS| 的大小之間呈指數的關係，此電流又稱為亞...分別為：1、 截止區（亞閾值區或弱反轉區）當 |VGS| |Vth| 時...-controlled resistor），而由漏極向源極流出的電流大小為： 金屬氧化物...
電路符號 金氧半場效電晶體的工作原理 金氧半場效電晶體在電子電路上套用的優勢 -
臨界電壓
電晶體的漏極到源極沒有電流。實際上，即使柵極偏置電流低於閾值（亞閾值漏電流...信道夾持，導致在高源-漏偏置電流飽和行為，即使當前是從來沒有過。與“夾斷...在閾值以下 在這些圖中，源極（左側）和漏極（右側）被標記為 n +以指示重...
定義 基本原則 身體效應 依賴氧化物厚度 依賴溫度 -
固態電子學基礎
:先進的器件物理(消離化及重摻雜效應、亞閾值電流、高場遷移率、MOSC、p/n和m/s結的反向電容及電流瞬變、歐姆接觸……)、最新的(1990...分布、漂移與擴散、產生-複合-俘獲及隧穿)。本書還給出了如亞微米矽...
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