互補性氧化金屬半導體CMOS

互補性氧化金屬半導體CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一樣同為在掃瞄器中可記錄光線變化的半導體。目前CMOS感光器件主要套用於少數名片掃瞄器和檔案掃瞄器。CMOS的製造技術和一般計算機晶片沒什麼差別，主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶–電） 和 P（帶+電）級的半導體，這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶片紀錄和解讀成影像。然而，CMOS的缺點就是太容易出現雜點, 這主要是因為早期的設計使CMOS在處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁而會產生過熱的現象。
出現轉機是在1998年，當時國際掃瞄器市場的競爭非常激烈，各大廠家都使出了降價的法寶，造成了掃瞄器生產廠商的行業性虧損。一些廠家開始重新搬出接觸式感光器件，經過改進，使其解析度達到了600 dpi，然后冠以CIS技術名稱，以新技術的面目推向市場，居然取得了相當的成功。不過就性能而言，接觸式感光器件存在著嚴重的先天不足，首先由於不能使用鏡頭，只能貼近稿件掃描，其實清晰度遠遠達不到標稱的批標，同時硫化鎘光敏電阻本身漏電很大，各感光單元之間干擾嚴重，進一步降低了清晰度，而且由於無法實現同時製造三條平行的感光單元同時實現三色掃描，接觸式感光器件不能使用常用的冷陰極燈管，而不得不使用發光二極體（LED）陣列作為光源，這種光源無論在光色還是在光線的均勻度上都是比較差的。而且由於LED陣列是由數百個發光二極體組成，一旦有一個損壞就意味著整個陣列的報廢，這種產品的壽命比較短，該類感光器件的溫度係數很大，，周圍環境溫度的變化將對掃瞄器的掃描結果產生很大影響，因此，你要想獲得一個穩定的掃描結果，最好在一個溫度恆定的房間內工作。