中子發射

原子內部組成的粒子-結構模型圖原子內部組成的粒子(含中子)-結構模型圖
中子發射是原子排除多餘中子的一种放射性衰變的形式,只是很單純的將中子從核中拋出。同位素氦-5和鈹-13是中子發射的兩個例子,但是氦-5的衰變也可以是α衰變(由定義看)。
許多重的同位素,最著名的是鐦-252,可以經由不同的放射性衰變過程,一種自發性分裂,放射出中子。
中子在核分裂的過程中會被吸收,也會被發射,核連鎖反應就是中子的傳播引起的。
 γ輻射-內部結構模型圖 γ輻射-內部結構模型圖

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中子輻射
查 • 論 • 編核過程
放射性衰變 α衰變 • β衰變• γ衰變 • γ輻射 • Cluster decay • 雙β衰變 • 雙電子捕獲 • 內部轉換 • 同質異構轉換 • 散裂分裂
雙β衰變: β+衰變(圖下)及β-衰變(圖上)-模型圖雙β衰變: β+衰變(圖下)及β-衰變(圖上)-模型圖

其它過程 發射過程 : 中子發射 • 正電子發射 • 質子發射
捕獲 : 電子捕獲 • 中子捕獲
恆星核合成 pp-鏈 • 碳氮氧循環 •氦融合 •α過程 • 3氦過程 • 碳燃燒 • 氖燃燒 • 氧燃燒 • 矽燃燒 • R-過程 • S-過程 • P-過程 • Rp-過程

β+衰變 及 β-衰變-模型表β+衰變 及 β-衰變-模型表 上表註解:
強子(夸克)與輕子的大統一:
一.v中微子與u上夸克互為轉換,e-電子與d下夸克互為轉換。
v-反中微子與u-反上夸克互為轉換,e+正電子與d-反下夸克互為轉換。
e-電子(上表1號)加v-反微中子(上表2號),合成W-弱玻色子-易衰變逃逸
《W-弱玻色子-衰變逃逸,即中子衰變為質子(β-衰變);W-弱玻色子-疊加壓回,即質子衰變回中子(β+衰變能量需大於1.022MeV)》
(見上表n中子第一族1號及2號夸克)
正電子-內部結構模型圖正電子-內部結構模型圖

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