文檔標題
IC型號：K9F2G08UXA
IC描述：FLASH存儲器
IC廠商：Samsung semiconductor
K9F2G08R0A
K9F2G08U0A
256M x 8位NAND 快閃記憶體
產品目錄
產品目錄
部件號 Vcc範圍
K9F2G08R0A-J 1.65 ~ 1.95V
K9F2G08U0A-P 2.70 ~ 3.60V
K9F2G08UOA-I X8
組織
pkg的類型
FBGA
TSOP1
52ULGA
特徵
·
電源電壓
- 1.65V ~ 1.95V
- 2.70V ~ 3.60V
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組織
-記憶電池陣列: (256M + 8M) x 8bit
-數據暫存器 : (2K + 64) x 8bit
·
自動編程和擦除
-頁編程: (2K + 64）位元組
-塊擦除: (128K + 4K）位元組
·
頁面讀操作
-頁面大小: (2K + 64）位元組
-隨機讀: 25µs（最大）
-串列訪問: 25ns（分鐘）
(*K9F2G08R0A: tRC = 42ns（民））
·
快速寫周期時間
-頁編程時間: 200µs(Typ.)
-塊擦除時間: 1.5ms(Typ.)
·
命令/地址/數據多路復用I / O連線埠
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Hardware Data Protection
-編程/擦除在電源轉換分離
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可靠CMOS浮動門技術
耐久性的: 100K編程/擦除周期（與1bit/512Byte
ECC)
-年數據保存: 10
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命令式操作
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智慧型複製回內部1bit/528Byte EDC
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獨特的ID著作權保護
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包裝 :
- K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : Pb-FREE 包裝
63 -球FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm間距）
- K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : Pb-FREE 包裝
48 -針TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm間距）
- K9F2G08U0A-ICB0/IIB0
52 -針ULGA (12 x 17 / 1.00 mm間距）
概述
在256Mx8bit,提供的K9F2G08X0A是2G-bit NAND帶有備用快閃記憶體 64M-bit.及其NAND 電池提供了最具成本
有效地解決了固態的套用市場.一個程式的運行可以進行典型200µs在（2K+64）位元組
頁面和一個可以執行擦除操作在上一（1.5ms）位元組的塊典型128K+4K.數據中的數據可以讀出暫存器
在25ns(42ns與1.8V裝置）每位元組的周期時間.該I / O pins充當地址和數據輸入/輸出連線埠以及com-
mand輸入.片上寫控制器自動完成所有程式和擦除包括脈衝的重複，在必要功能，
內部核查和數據餘量.即使是寫密集型系統可以充分利用擴展K9F2G08X0A′s reli-
100K方案的能力/擦除提供實時映射出算法ECC（錯誤糾正代碼）周期.該
K9F2G08X0A是大型非易失性存儲套用，如固態檔案存儲和其它攜帶型最佳的解決方案
適用於需要非波動.
產品介紹
該K9F2G08X0A是2,112Mbit(2,214,592,512位）記憶體131,072 rows（頁）由2,112x8列.備用64x8
列從列2,048~2,111.一個2,112-byte數據暫存器地址位於連線到記憶體電池陣列住宿，
測年數據之間的I / O緩衝器和存儲器傳輸在頁面讀取和頁編程操作.記憶體陣列由
註冊的EH HH是串列連線，形成一個32結構的細胞.每個單元的NAND駐留在不同的頁面.一個塊由32
兩個NAND結構字元串.阿NAND結構由32細胞.共有1,081,344 NAND細胞存在於一個塊.該方案
執行讀操作和網頁上的基礎，而擦除操作是基於塊的基礎上執行.存儲器陣列con-
sists的2,048分別可擦除128K-byte塊.這表明一點一滴擦除操作是禁止的K9F2G08X0A.
該K9F2G08X0A已進入8我/ Os復用的地址.該方案大大降低了針數，並允許系統升級
要通過保持在系統電路板設計的一致性未來密度.命令，地址和數據都通過書面I/O的由
我們要低，使CE低.這些被鎖在WE的上升沿.命令鎖存啟用（CLE）及地址鎖存
使能（ALE）用於通過I多路命令和地址分別輸入/輸出pins.有些命令需要一個匯流排周期.對於
例如，復位命令，狀態讀命令，etc需要的只是一個周期匯流排.其他一些命令，如網頁讀取和塊
擦除和頁編程，需要兩個周期：一個周期的設定和執行其他的周期.物理空間的264M位元組
需要29地址，因此需要解決: 2周期的列地址，行地址3周期，在五年周期，
秩序.頁面讀取和頁編程需要相同的五個地址周期後，輸入所需的命令.在塊擦除oper-
振動性，但是，只有三排地址周期使用.設備操作由記錄選擇特定的命令到
命令暫存器.表1定義的特定命令的K9F2G08X0A.
除了增強型體系結構和接口，該設備採用從一個網頁複製到另一回程式功能
網頁無數據傳輸和從外部緩衝存儲器的需求.由於耗時串列存取和
數據輸入周期將被刪除，系統固態硬碟的套用性能顯著提高.
尾綴區別
目前使用三星的記憶體顆粒來生產記憶體條的廠家非常多，在市場上有很高的占有率。由於其產品線龐大，所以三星記憶體顆粒的命名規則非常複雜。三星記憶體顆粒的型號採用一個15位數字編碼命名的。這其中用戶更關心的是記憶體容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。
下面簡單對三星的顆粒編號作一個介紹：
編碼規則：K 4 X X X X X X XX - X X X X
主要含義：
第1位——晶片功能K，代表是記憶體晶片。
第2位——晶片類型4，代表DRAM。
第3位——晶片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量，容量相同的顆粒採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量；28、27、2A代表16Mbit的容量；56、55、57、5A代表32Mbit的容量；51代表64Mbit的容量。
第6、7位——表示顆粒位寬，16代表16位；32代表32位；64代表64位。
第11位－－空格，沒有實際意義。
第12、13位――為速度標誌。
第14、15位——晶片的速率數據。
