IRF740概述
新系列的低電荷Power MOSFET IRF740LC則具有比傳統MOSFETs明顯更低的柵電荷。利用新型的LCDMOS技術，IRF740LC性能得到增強且無需增加額外的成本，簡化了柵極驅動需求，從而節省了系統總體開銷。此外，在大量的高頻套用中，IRF740LC減少了轉換損耗，效能得到強化。
TO-220封裝的IRF740普遍適用於功耗在50W左右的工商業套用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF740得到業內的普遍認可。SMD-220封裝的IRF740適用於貼片安裝，比起現有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導通阻抗最低。IRF740的SMD-220封裝可適應高強度電流的套用。
IRF740特性
動態dv/dt率
可恢復性雪崩測定
快速轉換速率
並行簡易
僅需簡單驅動
貼片安裝 - IRF740S、IRF740AS
可選卷帶包裝 - IRF740S、IRF740AS
超低柵電荷 - IRF740LC
增強VGS等級 30 V - IRF740LC
極高工作頻率 - IRF740LC
無鉛環保
IRF740參數
電晶體極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值: 10A (at 25℃)
電壓, Vgs 最大:20V
開態電阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω （Vgs=10V，Id=5.3A）
電壓, Vds 最高:400V
功耗:2.5W
封裝類型:TO 220
針腳數:3
電晶體類型:MOSFET
滿功率溫度:25°C
