產品簡介
FlashROM
它的最大特點是必須按塊(Block)擦除(每個區塊的大小不定，不同廠家的產品有不同的規格)， 而EEPROM則可以一次只擦除一個位元組(Byte)。目前“快閃記憶體”被廣泛用在PC機的主機板上，用來保存BIOS程式，便於進行程式的升級。其另外一大套用領域是用來作為硬碟的替代品，具有抗震、速度快、無噪聲、耗電低的優點，但是將其用來取代RAM就顯得不合適，因為RAM需要能夠按位元組改寫，而Flash ROM不需要。
Flash-ROM（快閃記憶體）已經成為了目前最成功、流行的一種固態記憶體，與 EEPROM 相比具有讀寫速度快，而與 SRAM 相比具有非易失、以及價廉等優勢。而基於 NOR 和 NAND 結構的快閃記憶體是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。 Intel 於 1988 年首先開發出 NOR flash 技術，徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統天下的局面。緊接著，1989 年東芝公司發表了 NAND flash 技術（後將該技術無償轉讓給韓國 Samsung 公司），強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過接口輕鬆升級。
但是經過了十多年之後，仍然有相當多的工程師分不清 NOR 和 NAND 快閃記憶體，也搞不清楚 NAND 快閃記憶體技術相對於 NOR 技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時 NOR 快閃記憶體更適合一些。而 NAND 則是高資料存儲密度的理想解決方案。
NOR 的特點是晶片內執行（XIP，eXecute In Place），這樣應用程式可以直接在快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統 RAM 中。NOR 的傳輸效率很高，在 1～4MB 的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND 結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快，這也是為何所有的 U 盤都使用 NAND 快閃記憶體做為存儲介質的原因。套用 NAND 的困難在於快閃記憶體和需要特殊的系統接口。
性能比較
快閃記憶體是非易失記憶體，可以對稱為塊的記憶體單元塊進行擦寫和再編程。任何快閃記憶體器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND 器件執行擦除操作是十分簡單的，而 NOR 則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為 0。
由於擦除 NOR 器件時是以 64～128KB 的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除 NAND 器件是以 8～32KB 的塊進行的，執行相同的操作最多只需要 4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了 NOR 和 NAND 之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作（尤其是更新小檔案時），更多的擦除操作必須在基於 NOR 的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1) NOR的讀速度比NAND稍快一些。
2) NAND的寫入速度比NOR快很多。
3) NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
4) NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
接口差別
NOR 快閃記憶體帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND快閃記憶體使用複雜的I/O口來串列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和資料信息。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的快閃記憶體就可以取代硬碟或其它塊設備。
容量和成本
NAND 快閃記憶體的單元尺寸幾乎是 NOR 快閃記憶體的一半，由於生產過程更為簡單，NAND 結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR 快閃記憶體容量為 1～11～16MB 快閃記憶體市場的大部分，而 NAND 快閃記憶體只是用在 8MB 以上的產品當中，這也說明 NOR 主要套用在代碼存儲介質中，NAND 適合於資料存儲，NAND 在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和 MMC 存儲卡市場上所占份額最大。
產品特點
可靠性和耐用性
採用快閃記憶體介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展 MTBF 的系統來說，快閃記憶體是非常合適的存儲方案。可以從壽命（耐用性）、位交換和壞塊處理三個方面來比較 NOR 和 NAND 的可靠性。
壽命（耐用性）
在 NAND 快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而 NOR 的擦寫次數是十萬次。NAND 記憶體除了具有 10：1 的塊擦除周期優勢，典型的 NAND 塊尺寸要比 NOR 器件小 8 倍，每個 NAND 記憶體塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換
所有快閃記憶體器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下（很少見，NAND 發生的次數要比NOR 多），一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤糾正（EDC/ECC）算法。位反轉的問題更多見於 NAND 快閃記憶體，NAND 的供貨商建議使用 NAND 快閃記憶體的時候，同時使用 EDC/ECC 算法。
這個問題對於用 NAND 存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲作業系統、配置檔案或其它敏感信息時，必須使用 EDC/ECC 系統以確保可靠性。
壞塊處理
NAND 器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
NAND 器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於 NOR 的快閃記憶體，可以像其它記憶體那樣連線，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要 I/O 接口，NAND 要複雜得多。各種 NAND 器件的存取方法因廠家而異。
在使用 NAND 器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其它操作。向 NAND 器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在 NAND 器件上自始至終都必須進行虛擬映像。
軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟仿真和快閃記憶體管理算法的軟體，包括性能最佳化。
在 NOR 器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在 NAND 器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程式，也就是記憶體技術驅動程式（MTD），NAND 和 NOR 器件在進行寫入和擦除操作時都需要 MTD。
典型的 NOR 快閃記憶體（Strata Flash）
Strata Flash 是 Intel 公司產的典型 Nor Flash， 本機使用的Strata Flash 是該系列中的 28F320J3。
它的特性如下：
1) 問速度有 110ns/120ns 和150ns 共 3檔
2) 具備128bit 加密暫存器
3) 塊尺寸：128KB
九、典型的 NAND 快閃記憶體（K9S5608）
K9S5608 是韓國 Samsung 公司所產的 256MBit（32MByte） SMC 卡（外形封裝成卡片形式的） NAND 快閃記憶體。
K9S5608 具有以下特性：
（1） 32MByte 存儲空間的結構為：（32M+1024K）bit×8bit
（2） 支持自動編程和擦除模式
（3） 10uS 隨即頁面讀寫
（4） 200uS 快速頁面擦除周期
（5） 具備硬體防寫功能
（6） 擦/寫壽命：10 萬次
（7） 資料保存壽命：10 年
